一、存储器特性
1）易失性：掉电数据会丢失，通常指RAM；
RAM分为SRAM、DRAM
SRAM：静态RAM，只要上电数据就不会丢失；
DRAM：动态RAM，需要每隔一段事件刷新数据，否则数据会丢失。电脑内存条DDR
2）非易失性：掉电数据仍然可以保存，通常指ROM。
最初的ROM只读或可写一次然后只读；后来，发展出电可擦除即EEPROM，从此“ROM只读存储器”只是名义上的只读，实际就是可读可写。EEPROM可对指定字节进入擦除写入。
再后来，FLASH闪存出现了，以块为单位擦除，使得存储的数据密度更高，成本更低；
FLASH分为Nor FLASH和Nand FLASH：Nor FLASH可以以字节为单位读取，Nand FLASH是以块为单位读取数据；
STM32的FLASH类型属于NOR FLASH，RAM类型属于SRAM。FLASH一般用于存放代码，RAM一般用于存放数据。FLASH亦可用于存储数据，当使用FLASH存储数据时，对FLASH写会造成总线被占用其它外围外设全部停止工作异常，因此在写FLASH时需要注意对程序的影响。
二、FLASH特性
扇区、块这些专用名词，其实是从早期的软盘、硬盘等存储器发展而来，目的是将一个存储器划分为多个（扇区、块）区域，更方便的编程管理这些存储单元。
1）页（Page）
Flash存储器中一种区域划分的单元，好比一本书中一页（其中包含N个字）。
比如：STM32F1中小容量芯片内部Flash，1K字节为1页，整个Flash分为32页（当然，不同容量的芯片，页数不同）。
2）扇区(Sector)
扇区和页类似，也是一种存储结构单元，只是扇区更常见，大部分Flash主要还是以扇区为最小的单元。
比如：W25Q256芯片以4KB为1扇区。
如上图可看出0000H~00FFH 256字节为一页，1个扇区有16页。
3）块(Block)
块，比扇区更高一个等级，一般1块包含多个扇区。同样，以上图W25Q256芯片为例：1块包含16个扇区。
不同厂家的、不同类型存储器的划分方式不同，有的以页为最小单元，有的以扇区为最小单元，但大部分都以扇区为最小单元，最小单元即指最小擦写单位。注：使用FLASH存储数据时需要注意跨页还有FLASH操作以最小单位的问题。
