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艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数：
型号：IXTY02N50D-TRL
漏极-源极电压（VDS）：500V
连续漏电流（ID）：200mA
功耗（PD）：25W
工作结温度（TJ）：-55 to +150℃
零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA
漏极源导通电阻RDS(ON)：20Ω
输入电容（CISS）：120pF
二极管正向电压（VSD）：0.7V
反向恢复时间（trr）：1us
IXTY02N50D-TRL封装尺寸：
封装：TO-252
总长度：10.42mm
本体长度：6.22mm
引脚长度：2.92mm
宽度：6.73mm
高度：2.38mm
脚间距：4.57mm
IXTY02N50D-TRL特征：
常开模式
国际标准包装
低RDS（on）HDMOSTM过程
坚固的多晶硅栅单元结构
快速切换速度
IXTY02N50D-TRL应用：
电平转换
触发器
固态继电器
电流调节器
