韩媒消息指出，台积电和三星的3纳米制程良率都未超过60%，远低于吸引硬件供应商所需的水准。韩媒近期不断炒作iPhone 15系列过热与台积电3纳米芯片技术有关，但苹果已澄清该问题主要是iOS 17操作系统漏洞及第三方应用程序所造成。

　　
　　三星是第一家开始量产3纳米硅晶圆的代工厂，采用GAAFET（环绕闸极场效电晶体）技术，但1年过后，三星3纳米良率仍停留在50%附近，无法有所突破。
　　
　　韩国媒体Chosun Biz报导，台积电、三星的3纳米制程良率都未超过60%。先前的报告显示，三星3纳米为中国客户设计的芯片良率已达到60%，后来发现这个数据不包括逻辑IC芯片中的SRAM，因此不能视为完整3纳米制程。
　　
　　三星最先进制程领域卡关，导致两大客户高通和英伟达转单台积电生产新一代芯片。知情人士透露，除非良率拉高到70%，否则高通等客户不愿意下单。
　　
　　与此同时，外界开始质疑台积电3纳米FinFET制程最佳化进度是否落后。今年稍早，传出台积电3纳米良率仅55%，使得苹果能为iPhone 15 Pro的A17处理器取得便宜的价格成本。
　　
　　报导指出，iPhone 15系列新机推出以来，消费者不断抱怨手机过热问题，苹果官方紧急出面澄清，该问题主要是iOS 17操作系统漏洞及第三方应用程序所造成，后续会通过软件更新来解决。
　　
　　近期韩媒频炒作iPhone 15过热，恐怕跟台积电以3纳米制程技术代工的A17 Pro处理器芯片有关，还说如果市场对台积电3纳米有疑虑，客户可能会转向或同时采用三星的产品。
　　
　　事实上，根据外媒The Information先前披露，台积电3纳米制程良率在70%至80% 间。台积电则强调，3纳米良率良好，不回应市场传闻。