低压MOS管AONS36344、AONS36348 MOSFET N-CH DFN

news2025/1/17 6:01:41

特点
沟槽功率MOSFET技术30V
低RDS(ON)
门票费低
高电流能力
符合RoHS和无卤标准

应用
DC/DC转换器在计算、服务器和POL中的应用
电信和工业中的隔离DC/DC转换器

产品参数
1、型号:AONS36344 低压MOS管
类型:单 - N型MOS管
VDS (V)漏极电压:30V
VGS (±V)栅极电压:20V
封装:DFN 5x6  

2、型号:AONS36348 
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):6.2W(Ta),26W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-DFN(5x6)
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线

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