1.半导体退火的原理
半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。通过退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，去除大部分缺陷和杂质，恢复晶格完整，提高电导率和电学性能。
上火？退火？
半导体退火工艺原理是半导体制造过程中的一项重要工艺，它可以改善半导体材料的电学性能和结构性能，提高半导体器件的性能和可靠性。退火的作用是改变半导体原子的位置，在晶体内部重新排列和疏松，使缺陷处的原子移动到缺陷内部或晶体边界，缺陷被消除或减少到最小限度。同时，退火还可以帮助调整材料禁带宽度，提高晶体品质和结晶程度，从而改善材料的电学性能。
导体退火是指将半导体材料在一定的温度下加热一段时间，然后缓慢冷却的过程。退火过程中，半导体材料的晶格结构发生改变，缺陷被修复，杂质被扩散，从而改善了半导体材料的电学性能和结构性能。
图解：
a) 不同实验条件下残余应力的释放
b) 半导体激光退火工艺（1.83 W/mm2）时测量得到的温度
