题目

  实现一个深度为8，位宽为4bit的双端口RAM，数据全部初始化为0000。具有两组端口，分别用于读数据和写数据，读写操作可以同时进行。当读数据指示信号read_en有效时，通过读地址信号read_addr读取相应位置的数据read_data，并输出；当写数据指示信号write_en有效时，通过写地址信号write_addr 和写数据write_data，向对应位置写入相应的数据。
  模块的信号接口图如下：

  模块的时序图如下：

  输入输出描述。

信号	类型	输入/输出	位宽	描述
clk	wire	Input	1	系统时钟信号
rst_n	wire	Input	1	异步复位信号，低电平有效
read_en	wire	Input	1	读使能信号，高电平表示进行读操作
write_en	wire	Input	1	写使能信号，高电平表示进行写操作
read_addr	wire	Input	8	读地址
write_addr	wire	Input	8	写地址
write_data	wire	Input	4	写数据，在写使能信号拉高时，同时输入写数据
read_data	reg	Output	4	读数据

答案

  在题目中，并未指出数据的读写操作是同步的还是异步的，从题目中给出的时序图看，题目要求在读使能有效的该时钟内读出数据，比如在读使能read_en有效时，地址为0，立刻读出地址0中的数据1，地址为1，则立刻读出地址1中的数据2，可见时序图要求的是异步读，但是在程序中，我们设置为同步读，仿真也是通过的（个人觉得题目有问题，没有指出读写是同步还是异步，仿真也有问题）。

`timescale 1ns/1ns
module ram_mod(
	input clk,
	input rst_n,
	
	input write_en,
	input [7:0]write_addr,
	input [3:0]write_data,
	
	input read_en,
	input [7:0]read_addr,
	output reg [3:0]read_data
);
integer i;
reg [3:0] mem [255:0];

//写操作
always @(posedge clk or negedge rst_n)
  if(!rst_n)
    for(i=0;i<256;i=i+1) begin
		mem[i] <= 'd0;
	end
  else if(write_en)
    mem[write_addr] <= write_data;

//同步读操作
always @(posedge clk or negedge rst_n) 
  if(!rst_n)
    read_data <= 'd0;
  else if(read_en)
    read_data <= mem[read_addr];
  else
    read_data <= 'd0;

//异步读操作
/*
always @(*) 
  if(read_en)
    read_data = mem[read_addr];
  else
    read_data = 'd0;
*/

endmodule