【STM32】详解嵌入式中FLASH闪存的特性和代码示例

news2024/10/6 9:40:44

一、存储器

我们正常编译生成的二进制文件，需要下载烧录到单片机里面去，这个文件保存在单片机的ROM(read only memory)中，所有可以完成这种特性的存储介质都可以称为ROM。
分类
ROM一般分为四大类
①PROM：可编程只读存储器，只可擦写一次。例如：芯片的全球唯一ID码
②EPROM：可擦除可编程只读存储器，一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。
③EEPROM：带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
④FLASH：可以擦写多次，按扇区/块擦除。
我们一般使用的单片机里面使用的是EEPROM，STM32则使用的是FLASH。

编程：是指将数据写入到存储器。

二、FLASH（闪存）

如果从电擦除这个特性上说的话，FLASH也是EEPROM的一种，不同的是，FLASH的擦除区块不是一个字节，而是扇区来擦除，也是因为这样的特性，才导致FLASH价格比EEPROM便宜。
在这里插入图片描述
闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍然保持所存储的数据信息）的存储器。应用：SD卡、固态硬盘、芯片内存存储单元存储代码。

FLASH的作用：

存储程序代码
存储小图片、音频
存储密码、自定义数据

FLASH如何写入数据？
前提条件：当前写入数据的地址一定要被擦除过，才能被写入。
如果要修改写入的数据，是怎么做的呢？
单独修改某个字节会失败的，需要这么做：

先保存整个扇区的所有数据
针对保存的数据进行修改
擦除该扇区
将修改后的数据全部写入到该扇区

三、示例代码

	printf("this is flash test\r\n");
	__IO uint32_t *d;
	
	/* 解锁FLASH（闪存）*/
	FLASH_Unlock();
	
	/* 擦除扇区4 */
	if(FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_4, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
	{
		printf("FLASH_EraseSector error\r\n");
		while(1);
	}
	
	/* 向扇区4首地址写入0x12345678 */
	if(FLASH_ProgramWord(0x8010000,0x12345678)!= FLASH_COMPLETE)
	{
		printf("FLASH_ProgramWord error\r\n");
		while(1);		
		
	}
	
	/* 不再需要修改数据，则锁定闪存 */
	FLASH_Lock(); 
	
	//读取数据
	d = *(__IO uint32_t*)0x8010000;
	printf("read addr at 0x8010000 is 0x%08x\r\n", d);