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FQL40N50参数描述：

型号：FQL40N50

漏源电压VDSS：500V

漏极电流ID：40A

漏极电流-脉冲IDM：160A

栅极-源极电压VGSS：±30V

功耗PD：460W

操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55 to +150℃

零栅极电压漏极电流IDSS：1uA

栅极阈值电压VGS(th)：5V

静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω

输入电容Ciss：5800 pF

输出电容Coss：880 pF

漏极-源极二极管正向电压VSD：1.4V

反向恢复时间trr：520 ns

 

FQL40N50描述：

这种N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。