(1)N 型半导体 在纯净的半导体硅或锗中掺入适量的五价磷元素,可形成带负电
的自由电子(又称多数载流子)参与导电。
(2)P 型半导体 在纯净的半导体硅或锗中掺入适量的三价硼元素,可形成带正电
的空穴(又称多数载流子)参与导电。
注:N 型、P 型半导体仍然呈电中性。
(3)普通二极管从 P 区引出的电极作为正极,从 N 区引出的电极作为负极。
(4)二极管被广泛应用于各类电子产品中,文字符号用字母“VD”表示。
(5)电路图形符号用箭头形象地表示了二极管正向电流流通的方向,箭头的一边代表
正极,用“+”号表示,另一边代表负极,用“-”号表示。
(6)二极管的单向导电特性:
加正向电压二极管导通
加反向电压二极管截止
(7)当硅材料的 PN 结正向偏压小于 0.5V,锗材料的 PN 结正向偏压小于 0.2V 时,PN
结仍不导通,我们把这个区域称为“死区”
(8)硅二极管的导通时的正向压降为 0.7V,锗二极管导通时的正向压降为 0.3V。
(9)硅二极管的正向压降大于锗二极管的正向压降。
(10)使用二极管时,应考虑的主要参数有 IFM和 URM
(11)二极管的型号一般有五部分组成:
第一部分:用数字表示器件的电极数目,“2”表示二极管
第二部分:用汉语拼音字母表示器件的材料和极性。
“A”表示 N 型锗材料
“B”表示 P 型锗材料
“C”表示 N 型硅材料
“D”表示 P 型硅材料
第三部分:用汉语字母表示器件的类型。
“P”表示普通管,“W”表示稳压管,“Z”表示整流管,“K”表示开关管
第四部分:用数字表示器件序号。
第五部分:用汉语拼音表示规格号。
例如:2CP10 表示 N 型硅材料普通二极管,2AK4 表示 N 型锗材料开关二极管。
(12)管脚极性的判别:
用万用表的 R×100 或 R×1K 挡,测量小功率二极管的正反向电阻,阻值小时,黑表笔
所接一端为二极管的正极;阻值大时,黑表笔所接的一端为二极管的负极。
质量好坏的判别:
根据二极管正反向电阻阻值的大小,可以判定其质量的好坏。
正反向电阻阻值相差越大,质量越好。
正反向电阻阻值均很大(表针不动),说明内部断路。
正反向电阻阻值均很小(表针指示为零),说明内部短路。
例:利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点,可以构成限幅
(削波)电路来限制输出电压的幅度。图(a)所示为一单向限幅电路。
设输入电压 ui=10sinωt(V),Us=5V,为简化分析,常将二极管理想化,即二极
管导通时,两端电压降很小,可视为短路,相当于开关闭合,;二极管反向截止时,
反向电流很小,相当于开关断开,如图所示。
这样,单向限幅电路输出电压 uo 被限制在+5V~-10V 之间,其波形如图(b)所示。将电路稍作改动便可做成双向限幅电路。利用二极管的这一特性,通常可将其用于电路的过电压保护。