上节总结cell的结构和基本操作
本节基于cell组合起来的DRAM组织结构
- DDR Device 的组织结构
Cells 以特定的方式组成 Column/Row/Bank/Chip/Rank/DIMM/Channel等多层级组织结构如下图：
图1 - DRAM的组织结构
图2 - DRAM容量的组织结构图
Channel: 同1个DDR控制器
DIMM: Dual in-line memory module(2 sides)
Rank:同1个地址(diff CS)
CHIP:diff data
1.1 Columns（最小可寻址单元）
Column 是 Memory Array 中可寻址的最小单元。
Column Size:1个Column上所含 Cells 数量，与 Data Width 相同。
Memory Array的Data Width 是指对该 Array 进行一次读写操作所访问的 Bit 位数。这个位数与 CSL 和 WE 控制线的组织方式有关。
增加 Bitline 后，Sense Amplifier、Read Latch 和 Write Driver 的数量也相应的增加了，这意味着成本、功耗、芯片体积都会随着增加。由于这个原因，在实际的设计中，会优先考虑增加 Bitline 上挂接的 Cells 的数量，避免增加 Bitline 的数量，这也意味着，一般情况下 Wordline 的数量会比 Bitline 多很多。
1.2 Rows（含多个columns）
Row 与 Wordline 是一一对应的，1个 Row 本质上就是所有接在同1根 Wordline 上的 Cells，如下图所示。
Row Size:即为1个 Row 上面的 Cells 的数量。
1个 Row 中有 n 个 Column，其中 n = Row Size / Data Width。
例如，下图是 Row Size = 32，Data Width(column size) =8 的示例。
图2 - row size & coulumn size
DRAM 在进行数据读写时，选中某1 个Row，实质上就是控制该 Row 所对应的 Wordline，打开 Cells，并将 Cells 上的数据缓存到 Sense Amplifiers 上。
1.3.BANK（memory array：含多个Rows）
图3 - Array
1.4 CHIP:由多个bank组成的chip(含多个banks)
图4 - CHIP组织结构
- DDR device的连接关系
如下图，不同的CA/CS/DQ连接关系，可以练成不同的memory结构，对应的读写效率也不同。
组成1个Rank结构的例子
2.1 2个DRAM容量的连接关系
1个LPDDR4的2个channels( 与controller channels不同），相当于2个lpddr2颗粒。
图2.1 2个颗粒的连接方式
如果1个LPDDR4颗粒(2 channels)有4种连接关系（CA（命令/地址）)：
| NO | 连接方式 | 共享 | 不同 | 备注 | |
| 1 | Parallel （lockstep) | CA,CS | DQ | 所有颗粒同时被访问： 1.PoP实现困难；2.低bank利用率；3.64Bytes fetch | |
| 2 | Series （多Rank) | CA,DQ | CS | 不同CS区分访问不同颗粒: 1.PoP实现困难；2.其他方案带宽的一半；3.省DQ pins | |
| 3 | Multi-channel | CA,DQ,CS | 都是独立的连线 | ||
| 4 | Share-CA | CA | DQ,CS | 两个DRAM设备接收相同的命令&地址，但只有一个设备被访问主动芯片选择一次，所以每个DRAM设备 |
这里的并行/串行指数据DQ并行/串行。
2.2 4个DRAM容量的连接关系
如果是2个LPDDR4的4 channels.
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| 4 Channel（suggested) CA pins: 24 DQ pins: 64 CS pins: 4 Banks: 32 Fetch: 32 | 2 Channel & Parallel（suggested) CA pins: 12 DQ pins: 64 CS pins: 2 Banks: 16 Fetch: 64 | 4 Channel & Shared-CA CA pins: 12 DQ pins: 64 CS pins: 4 Banks: 32 Fetch: 32/64 | 2 Channel & Serial CA pins: 12 DQ pins: 32 CS pins: 4 Banks: 32 Fetch: 32 |
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|  |  |
| Parallel CA pins: 6 DQ pins: 64 CS pins: 1 Banks: 8 Fetch: 128 | Complicated CA pins: 6 DQ pins: 32 CS pins: 2 Banks: 16 Fetch: 32/64 | Complicated CA pins: 6 DQ pins: 32 CS pins: 2 Banks: 16 Fetch: 32/64 | Serial CA pins: 6 DQ pins: 16 CS pins: 4 Banks: 32 Fetch: 32 |
2.3 8个DRAM容量的连接关系
如果是4个LPDDR4的8 channels ，更多的选择，推荐使用以下2种方式：
方式1: LPDDR4串行实现增加了DRAM容量,此解决方案兼容2 die封装。
方式2: 2个channels, 每个channel(4个RAM) 共享1组CA.其中1个channel 访问4个RAM,另1个channel访问另4个RAM。
参考：
- https://www.jedec.org/sites/default/files/Marc_Greenberg_Mobile_August_2016.pdf
