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一、RAM
1、特点
2、分类
①SRAM
②DRAM
二、ROM
1、特点
2、分类
可能是小编的学习风格和大家的不一样，小编喜欢由难到易的学习风格，所以在408计算机考研的四门课中，先选择了最难的计算机组成与设计进行学习。近期小编差不多学完了这本书一半的内容，这本书给小编最大的特点就是，学完了，但是仍然不会做题，所以小编接下来的很多文章的内容，都偏向于做题技巧，小编把做题容易考到的部分用红色标注，希望能给大家一点小小的帮助！
一、RAM
1、特点
中文名：随机存储器(Random Access Momen)。存储器的任何一个存储单元都可以随机存取，而且存取时间和存储单元的物理位置无关。其优点是读写方便、使用灵活，主要用作主存与高速缓冲存储器。RAM只要电源被切断，原来保存的信息就会丢失，这与RAM的结构息息相关。
2、分类
RAM分为SRAM与DRAM两种，其中SRAM是由触发器构造而成的，DRAM是由电容构造而成的。电容肯定是更加便宜的，而制造触发器需要更多的硅，所以说SRAM更贵，集成度比较低，但是速度更快。请跟随小编进行接下来的学习吧！
①SRAM
静态随机存储器的存储元是双稳态触发器来记忆信息的，因为它还算稳，所以就算读出信息后，信息依旧存在，不需要再生（非破坏性读出）。
因为它足够快，所以SRAM一般用作高速缓冲存储器。这些特性一般会与DRAM对比来考察。
考点1：SRAM芯片构造
我们除了它的功能与特点，还需要着重了解它的芯片构造。众所周知，芯片会有一些引脚，通过接下来的学习，我们需要掌握如何计算出引脚的数目。我们知道RAM可读可写，读的是地址，写的是内容。地址引脚与RAM的存储单元个数有关，而与存储单元的字长无关，即告诉你我的内部有多少个存储单元。而数据引脚与则芯片有多少位有关。
我们简单的举一个例子，若有一个SRAM芯片，为k×t位的，那么它的地址引脚为（），数据引脚为（）。
答案：n（满足） t
解析：k代表着这个芯片有多少个存储单元，只需要知道存储单元的地址就行了，而n个引脚就能表达出k个地址，t代表着能够写t位。
除此之外，SRAM一般还需要有接电源与接地的引脚，有一个读写控制线引脚（有的时候是一条读控制线与一条写控制线，根据CPU给出的读命令与写命令，控制被选中单元进行读或写）与一个CS引脚，输入片选信号（表明此时这个芯片起不起作用）。
某一SRAM芯片，其容量为1024×8位，除了电源和接地端外，该芯片的引脚的最小数目为（）：
A.21 B.22 C.23 D.24
【答案】：A
【解析】；芯片容量为1024B，并且不做特殊说明的时候，以字节为单位存取，即地址线需要10位。8位说明数据线需要8根，加上片选线和读写控制线，因此引脚数最小为10+8+1+2=21根。由于读写控制线可共用一根，但是没有20这个选项，所以选A。
②DRAM
DRAM考栅极电容上的电荷存储信息，相信大家高中物理学的不错，知道电荷容易被释放消失，所以需要依靠电源不断给它刷新，这也是RAM断电就丢失信息的原因。同时，电容可比触发器简单的多，因此一般用于大容量的主存系统。
考点2：DRAM刷新方式及其特点
DRAM电容上的电荷一半只能维持1到2ms，因此即使电源不断电，信息也会自动消失。它一共有三种刷新方式：集中刷新、分散刷新与异步刷新，这三种刷新策略的刷新单位均为行，并且一次完整的刷新过程只需要占用一个存储周期。
A.集中刷新：
指在一个刷新周期内，利用一段固定的时间，依次对存储器的所有行进行再生，在此期间停止对存储器的读写操作，称为“死时间”。
B.分散刷新：
把对每行的刷新分散到各个工作周期中。这样，一个存储器的系统工作周期分为两部分：前部分用于正常读写或保持，后半部用于刷新，这样没有死时间。
C.异步刷新：
将上述两种刷新方式进行结合，可以缩短死时间。具体方法是将刷新周期除以行数，得到两次刷新操作之间的时间间隔t，利用逻辑电路每隔时间t产生一次刷新请求。
考点3：DRAM芯片构造
DRAM芯片与SRAM芯片相比，又有些许的不一样。DRAM采用的是地址复用技术，也就是说
一次只读一行或者一列。具体是怎么样的，请听小编娓娓道来：
有一天，我们爱岗敬业的伍老师刚刚入职，进入了一个新的班级，人生地不熟的。她在讲台上又想找一个同学回答问题，此时请大家想想，有什么办法能帮助到她？
方法一：请学号为24的同学回答一下这个问题！
方法二：请坐在第三行，第二列的同学回答一下这个问题！
那么方法一，就类似于SRAM芯片读地址的方式，直接将每一存储块标号，通过01信号显示标号，来确认是哪一块地址。
方法二则对应的是DRAM的策略，先读行再读列，分开来读。行地址与列地址通过相同的引脚先后分两次输入，这样地址的引脚可以减少一半。
与SRAM芯片类似，它的数据引脚数取决于它的位数。
同时，依旧存在片选控制引脚，它的作用是在访问某个字时，必须“选中”该存储字所在的芯片，而其他“芯片”不被选中。而且由于行列分开来送入地址，需要额外增加行通选线与列通选线。
读、写控制引脚依旧存在，有时是用两根线，有时是用一根线，这个具体情况具体分析。
接电源与接地的引脚这个也必须得有。
例题：假定DRAM芯片中存储阵列的行数为r，列数为c，对于一个2K×1位的DRAM芯片，为保证其地址引脚数最少，并尽量减少刷新开销，则r、c的取值分别是（）
A.2048,1
B.64,32
C.32,64
D.1,2048
【答案】：C
【解析】：2K的大小为2×=2048，也就是说，这个“教室”桌子的行数乘以列数要等于2048。同时，行地址与列地址是通过相同的引脚先后分两次输入的，所以二者相差越小越好，排除A、D。（64需要6个引脚，32需要5个引脚，综合一下，二者需要6个引脚，要满足最大的）同时，需要减小刷新开销，刷新是以行为单位的，所以我们需要减少行数。
考点4：SRAM与DRAM的比较
我们列一个表，来对比一下SRAM与DRAM:
| 类型 | SRAM | DRAM |
| 存储信息 | 触发器 | 电容 |
| 破坏性读出 | 否 | 是 |
| 需要刷新 | 否 | 是 |
| 送行列地址 | 同时送 | 分两次送 |
| 运行速度 | 快 | 慢 |
| 集成度 | 低 | 高 |
| 存储成本 | 高 | 低 |
| 主要用途 | cache | 主机内存 |
例题：关于SRAM与DRAM，下列叙述中正确的是（）：
A.通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0
B.DRAM芯片的速度比SRAM快
C.SRAM的分散刷新不存在死时间
D.DRAM与SRAM相比，虽然速度慢，但是集成度高
【答案】：D
【解析】：A项，使用电容暂存电荷来存储信息的是DRAM，而不是SRAM，B项，SRAM比DRAM更快，C项SRAM不需要刷新，DRAM的分散刷新确实不存在死时间
二、ROM
1、特点
考点5：ROM与RAM的特点比价
中文名：只读存储器（Read Only Memory），在这里给出它的英文，主要是希望大家不要与RAM弄混淆了，毕竟二者的缩写确实很相似，但是当我们知道O代表Only的时候，就能够轻松区分开二者，并且顾名思义的想到，ROM只能读，而不可轻易的写，一旦有了信息，就不能轻易的改变。
二者除了名字相似，其实也有别的相似之处，比如说ROM与RAM二者都是支持随机访问的存储器。但是它们的区别也很明显：RAM为易失性半导体存储器，也就是说RAM一旦断电，信息就会丢失，但是ROM具有非易失性，可靠性很高，里面的信息就算掉电也不会丢失。
从结构上来说，ROM的结构更加简单，所以位密度比可读写的存储器高。
为了让大家能够做题，小编要上一个例题了：
例题：下列说法中，正确的是（）：
A.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍然能保持记忆
B.DRAM是易失性RAM，而SRAM中的存储信息是不易失去的
C.高速缓冲存储器是易失性存储器
D.ROM不是随机存储器，所以不采用随机存取方式进行信息访问
【答案】：C
【解析】：但凡与RAM沾点边的，都是易失性的，不论题目中说的有多天花乱坠，看到了就要立马反应出它是易失性的！不论他是DRAM还是SRAM，所以我们直接排除A、B两项。再看C，高速缓存存储器是由RAM构造的，再具体一点是SRAM。所以高速缓冲存储器是易失性存储器。D项，ROM与RAM均以随机存取方式进行信息访问，但是ROM不能作为随机存储器！！不然为什么还要有ROM？直接以xxxRAM的名字命名不是更方便一些吗？
2、分类
根据制造工艺的不同，ROM可分为很多种只读存储器，下边是小编列的一个总结性的表格，希望小编的总结能对大家有所帮助：
考点6：ROM的分类
| 名称 | 可读性 | 可写性 | 注意点 |
| MROM | 可读 | 任何人都无法改变内容 | 便宜 |
| PROM | 可读 | 可实现一次性编程，一旦写入就无法改变 | 没啥好考的 |
| EPROM | 可读 | 可写，但次数有限 | 不可代替RAM，并且编程次数有限，写入时间很长 |
| Flash闪存 | 可读 | 可以快速擦除与重写 | U盘位Flash的一种，虽然可以快速擦除与重写，但是写的速度依然大于读的速度 |
| SSD | 可读 | 可以快速擦除与重写 | 虽然可以快速擦除与重写，但是写的速度依然大于读的速度 |
从小编划重点的部分，大家应该猜的出来，哪个位置特别容易设置考点吧？为了让大家少背点“单词”，小编来帮助大家记忆。
MROM原名为掩模式只读存储器，所以M代表Mask。PROM能够编程，所以P代表编程program。EPROM能够重新编程，E代表着电，用电擦除原本的内容，再来重写。
怎么样，这样子是不是能够捋清楚这么一堆ROM的名字与特点，现在来一道例题，我们通过题目来学习！
例题：下列说法正确的是（）：
A.EPROM是可改写的，因此可以作为随机存储器
B.闪存可读可写，并且读写速度一样快
C.U盘属于随机存取存储器
D.ROM的集成度很高，位密度相对较大
【答案】：D
【解析】：A项，不管哪一种ROM不是随机存储器，不管哪一种ROM不是随机存储器，不管哪一种ROM不是随机存储器。我来强行凑字数，，，哦不对，，重要的事情说三遍，所以我说了这么多次（确信）。B项，读写速度一样快，你咋不上天呢，原本就是只读存储器，现在好不容易可写了，怎么，有了本事就忘了自己原来的样子了？高启盛都没你这么得意。C项，U盘是Flash，Flash是ROM的一种，带要我重复A选项的解析三次吗？D项，ROM结构简单，位密度相对较大，没毛病，选它！
好的，本期的文章到这里就结束了，如果希望小编加更，请大家多多点赞加关注！
