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ASEMI高压MOS管4N65SE参数：

型号：4N65SE

漏极-源极电压（VDS）：650V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：4A

功耗（PD）：50W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω

二极管正向电压（VSD）：1.4V

输入电容（Ciss）：560pF

二极管反向恢复时间（trr）：393nS

 

4N65SE封装规格：

封装：TO-220F

总长度：28.8mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.16mm

高度：4.7mm

脚间距：2.54mm

 

4N65SE特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=14nC（典型值）。

BVDSS=650伏，ID=4A

R DS（开）:2.50Ω （最大值）@V G=10V

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