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安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数：
型号：FGH60N60SMD
集电极到发射极电压（VCES）：600V
栅极到发射极电压（VGES）：±20V
收集器电流（IC）：120A
脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A
最大功耗（PD）：600W
储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃
G−E泄漏电流（IGES）：±400nA
集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V
输出电容（Coes）：270pF
二极管正向电压（VFM）：2.1V
二极管反向恢复时间（Trr）：30NS
FGH60N60SMD特征：
正温度系数，便于并联操作
高电流能力
低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（典型值）@IC=60 A
高输入阻抗
快速切换：EOFF=7.5 uJ/A
严格的参数分布
该设备不含铅，符合RoHS标准
FGH60N60SMD应用：
第二代IGBT采用新型场停IGBT技术，FGH60N60SMD可为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能，其中低传导和开关损耗至关重要。
