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ASEMI中低压MOS管18N20参数：

型号：18N20

漏极-源极电压（VDS）：200V

栅源电压（VGS）：±30V

漏极电流（ID）：18A

功耗（PD）：83W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω

二极管正向电压（VSD）：1.5V

输入电容（Ciss）：1080pF

二极管反向恢复时间（trr）：158us

 

18N20封装规格：

封装：TO-252

总长度：9.5mm

本体长度：6.1mm

宽度：6.6mm

高度：2.3mm

脚间距：2.3mm

 

18N20特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=20nC（典型值）。

BVDSS=200V，ID=18A

RDS（开）:0.18Ω （最大值）@VG=10V

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