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ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数:
型号:ASE60N10
漏极-源极电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):60A
功耗(PD):160W
储存温度(Tstg):-55 to 175℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
二极管正向电压(VSD):0.85V
输入电容(Ciss):3969pF
二极管反向恢复时间(trr):35ns
ASE60N10封装规格:
封装:TO-263
总长度:16mm
本体长度:10.8mm
宽度:10.2mm
高度:4.7mm
脚间距:5.28mm
ASE60N10特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷:Qg=146.1nC(典型值)。
BVDSS=100V,ID=60A
RDS(开启):17mΩ (最大值)@VG=10V
100%雪崩测试