原则:先防护，后防反，最后滤波

在设计电路保护方案时，遵循“先防护，后防反，最后滤波”的原则是非常重要的。这种顺序确保了电路在面对外部干扰或异常情况时能够得到有效的保护。以下是根据提供的信息进行的详细说明：

基本防护器件

1. 气体放电管（GDT）
   特点：用于高压保护，适用于雷击等极端情况。
   适用场景：通信接口、天线输入等。
   注意事项：响应速度相对较慢，不适合高频信号保护。
2. 压敏电阻（MOV）
   特点：响应速度快，成本低。
   适用场景：电源线路、信号线等。
   注意事项：可能在过压事件后发生永久性损坏，需定期更换。
3. 瞬态电压抑制二极管（TVS）
   特点：响应速度快，可靠性高。
   适用场景：广泛应用于各种电子设备中。
   关键参数：
   Reverse Stand-Off Voltage：选择TVS的反向截止电压，应大于1.1~1.2倍的工作电压。
   Breakdown Voltage：TVS的击穿电压应低于后级电路的耐压值。
   功率和封装：
   SMA < SMB < SMC：分别对应最大功率400W、600W、1500W。
   SOD-323：适用于IO接口，最大功率130W，需考虑结电容影响。
   失效模式：短路或开路。
   配合使用：与保险丝（Fuses）或正温度系数热敏电阻（PPTC）一起使用，确保故障发生时保险丝先动作。

防反措施

防止电流反向流动也是设计中需要考虑的问题，主要有两种方式：

1. 肖特基二极管
   优点：简单易用。
   缺点：功耗较大，效率较低。
   适用场景：低功率应用。
2. MOS管防反
   优点：功耗低，效率高。
   缺点：设计复杂度较高。
   适用场景：高功率应用。
   设计要点：
   如果输入电压已知且稳定，可使用电阻分压来确保Vgs足够使MOS管导通。
   MOS管内部的体二极管容量较小，可额外并联一个肖特基二极管来减少上电时的电流冲击。
   如果输入电压确定，也可以不用稳压管，用电阻分压，保证Vgs足够即可。体二极管容量较小，空间允许可以再额外并联一个肖特基（减少上电电流对P-mos极管的冲击）