在存储技术飞速发展的当下，长江存储（YMTC）的 Xtacking 4.0（Gen5）技术备受瞩目。本文将深入分析该技术与此前的 Xtacking 2.0（128L，Gen3）和 Xtacking 3.0（232L，Gen4）之间的差异。

一、技术背景
YMTC 的 3D NAND Gen1 是首款用于安全 USB 应用的 MLC 芯片，但并非 Xtacking（混合键合）结构。从 Gen2 到 Gen5 则采用了两片晶圆直接键合技术的 Xtacking 工艺。Xtacking 4.0 Gen5 集成了各种前沿技术，旨在提高存储密度、速度、性能和能效。
 

二、主要差异

（一）结构设计

1. Centered X-DEC die design（中心 X-DEC 芯片设计）：Xtacking 4.0 的 160L TLC 芯片采用中心 - XDEC 架构，与边缘 - XDEC 设计相比，可将 WL 电容减半，降低 RC 负载和 RC 延迟（tRC）。这减少了 WL 稳定时间和充电 WL 所需的电流，从而提高了读写性能。
2. Back side source connect（BSSC，背面源极连接）：YMTC 在 Xtacking 3.0 产品中引入了 BSSC，Xtacking 4.0 的 160L 芯片也应用了该技术。通过翻转的 NAND 阵列芯片实现混合键合结构，BSSC 进一步优化了芯片性能。

（二）工艺改进

1. Reduced vertical gate pitch（减小垂直栅极间距）：有助于提高存储密度。
2. 20 vertical channel（VC）hole design without dummy holes（20 个无虚设孔的垂直通道孔设计）：今年早些时候，铠侠 / 西部数据（KIOXIA/WD）已发布采用 20 个 VC 孔 OPS 单元设计的 BiCS8 218L 产品。YMTC 的 Xtacking 4.0 芯片也采用了这种设计，所有 20 个孔均为有效孔，有效 VC 间距为 155nm，是目前最小的，与 KIOXIA/WD BiCS8 CBA 218L 1Tb TLC 芯片相同。

（三）性能提升

1. Relatively reduced die size（相对减小的芯片尺寸）：512Gb 芯片的尺寸为 40.44mm²，相对较小的芯片尺寸有助于提高集成度。
2. Relatively increased bit density（相对增加的位密度）：160L TLC 芯片的位密度为 12.66Gb/mm²，更高的位密度意味着在相同空间内可以存储更多数据。
3. Relatively larger block size with more pages and strings（相对较大的块尺寸，具有更多页面和串）：为 160L 芯片设计的相对较大的块尺寸，以及更多的页面和串，有助于提高存储性能和读写速度。

三、技术影响

1. 市场竞争：随着铠侠 / 西部数据的 BiCS8 218L CBA 芯片和 YMTC 的 Xtacking 3D NAND 产品在市场上的流行，三星、SK 海力士和美光也将很快采用混合键合技术。这表明 Xtacking 技术在行业内的影响力不断扩大，推动了存储技术的竞争与发展。
2. 应对制裁：YMTC 将通过推进 Xtacking 技术、提高工艺成熟度、提高制造良率和实现产品多样化，来减少美国制裁对工具的影响。这显示了 YMTC 在面对外部压力时的积极应对策略和技术创新能力。
    

综上所述，YMTC 的 Xtacking 4.0（Gen5）技术在结构、工艺和设计方面都取得了重大突破，与前几代技术相比，在存储密度、性能和能效等方面都有了显著提升。随着技术的不断发展，我们期待 YMTC 在存储领域继续发挥重要作用，为用户带来更高效、更可靠的存储解决方案。