一、用三极管搭建简易电流源的缺点

此前文章《用三极管搭建电流源》的电路是存在缺陷的，温度变化和Early效应会影响电路的性能和稳定性。主要表现如下：

1. 基极-发射极之间的压降会随着温度的变化而发生变动，VBE会随着温度的升高而减小，导致偏置电压下降，反之亦然。这种变化会直接影响三极管的工作状态，会引起电流随温度变化而漂移。

2. 当集电极电流固定，VBE（Early效应）与β会随集电极-发射极间的电压稍微变化。Early效应是指当BJT的VCE增加时，集电结的反向偏置电压增大，使集电极电流（IC）增大。由负载两端电压变化产生的VBE变化会引起输出电流的变化，即使已施加一个固定不变的基极电压，发射极电压（即发射极电流）也在变化。因IC=IE-IB，对于固定的发射极电流，β的变化使输出集电极电流产生少量的变化。当β变化时，由偏置电路非零源阻抗及可变负载引起基极电压少量变化。

二、改进电流源特性

1. 利用三极管具有相似温度依赖性的压降进行补偿，假设因温度变化xmV，以下图NPN管为例UR4=UR1+（VBE+x）-（VBE+x）=UR1，这样因温度变化产生的压降变化得以抵消。
   
   

2. Q1保持原来的功能，通过增加三极管Q2使三极管Q1的VCE电压保持固定，分压电路保证了Q1的VE=1V，分压电路+Q2保证了Q1的VC=1.75V，VCE电压不变，从而抑制Early效应与功率损耗产生的温度变化而引起少量的变化。
   
   

3. 综合以上两种电路，进一步优化电路。
   
   

4. 以上电路都不可避免的增加成本，从总体上看，温度依赖性-2mV/℃以及Early效应△VBE≈-0.0001△VCE引起的VBE变化可以通过选取足够大的发射极电压以使几十mV的VBE变化不会导致发射极电阻两端电压的大变化。例如VE=01.V，对于VBE的10mV变化，引起10%的输出电流变化量；提高VE=1V，对于同样10mV的变化，只会引起1%的输出电流变化量。注意：输出适用范围的最低限度是由发射极电压来设定。假设电源10V，发射极电压5V，保证三极管工作在放大区，负载电压范围为VE+1V~10V，即6V至10V。
   另外，电路设计时会默认IC≈IE，但实际IC=IE-IB，IB电流存在会造成一定的影响。选取具有大β的三极管，以使基极电流对发射极电流的影响变小。