高侧开关应该选用P-MOS还是N-MOS呢？

高侧开关就是负载是接地的，开关相对于负载处于高电位，如下图所示。如果将开关和负载的位置互换，就是低侧开关。

P-MOS作为高侧开关的示意图如下图所示。要想P-MOS管导通，则Vgs=Vg-Vs＜Vgs（th）（注意这里是小于Vgs（th），因为P-MOS的开启电压为负数，为了MOS管导通，P-MOS的开启电压越负越容易开通）。

那么使上图中的P-MOS管导通的栅极电压应该为：Vgs==Vg-Vs＜-4V→Vg＜Vs-4V=VDD-4V。也就是说为了让P-MOS导通，只需要控制栅极电压比电源电压低4V以上就可以了，这将很容易做到，实际应用中，选择的Vgs会比-4V更低，Vgs=Vgs(th)其实还并不能完全开通MOS管。

为什么N-MOS作为高侧开关更难？

当N-MOS作为高侧开关时，其示意图如下图所示。当N-MOS导通时，源极S的电压等于电源电压12V。要想MOS管导通，则栅极电压至少要比源极电压高4V，也就是栅极电压至少要达到16V。但电源电压只有12V，因此要想控制高侧的N-MOS导通，就必须额外增加电源，或者采用自举升压电路，使控制变得更为困难。

是不是应该都选用P-MOS作为高侧开关呢？

上面说了，P-MOS作为高侧开关更为容易控制，那么如果让你选择高侧开关的时候，你是不是就会直接选用P-MOS呢？

其实，很多时候，我们都需要选用N-MOS作为高侧开关，主要是两个方面的原因：

第一个就是，N-MOS相较于P-MOS更为便宜；第二个原因就是，N-MOS比P-MOS的导通电阻RDS（on）更低，因此对于快速开关的场合建议使用N-MOS。更低的导通电阻意味着更小的开关损耗，更低的发热量。

下图为N-MOS和P-MOS的参数对比。两者的漏源击穿电压都为100V，N-MOS的导通电阻为0.16Ω，而P-MOS的导通电阻为0.3Ω，几乎是N-MOS的两倍。

来自：公众号硬件精选笔记，  这个博主写的真好，留个笔记便于复习

其搭载了LPS微源半导体LP5308M过压过流保护芯片，耐压高达36V，同时带可编程过电流保护功能。具有36V高耐压，30nS极短的保护响应时间，能有效的保护瞬间高压脉冲，带可编程过电流保护，为可能遇到大电流和输入过电压条件的系统和负载提供全面保护。

示波器能测量220V交流电吗？

一般的示波器都是不带隔离的，外壳、通道外金属还有探头地线都是直接与市电地线相连接，在测试中非常容易犯的一个错误就是直接把示波器探头的信号线接火线，地线接零线，这是绝对不允许的，因为火线与地线短路或者是零线和地线短路，都非常危险！

在民间，也有一些偏方，可能有些朋友也想到了，地线会短路，那我把示波器的地线去掉不就行了。在这里明确地告诉大家，这种做法也不可取！因为这样会导致测量时示波器外壳和探头地线可能带有220V 电压，非常危险！为了大家的生命安全，也千万不要这样尝试！

可以使用高压差分探头，也可以使用直接用用电池单独供电的示波器使用。

这是徕芬吹风机的无刷电机，算是较大功率，有时间买一个自己做个驱动作为大功率电机项目：

MCU的型号是CMS32M5710L048，封装为LQFP-48，基于ARM-Cortex M0内核，是中微半导体电机控制产品线的主力产品。

MCU的型号是CMS32M5710L048，封装为LQFP-48，基于ARM-Cortex M0内核，是中微半导体电机控制产品线的主力产品。

板子正面的3颗MOS和背面的3颗MOS，加上其他外围器件，组成了一个无刷电机驱动电路。MOS的型号是AP5N50BD，封装TO-252-3，来自永源微电子。这个MOS的电压是500V，电流5A，Rdson典型值为2.4Ω。

高压半桥MOS驱动芯片是EG27710，封装SOP-8，来自屹晶微，板子上总共有三颗。

04 双向可控硅：

板子上有一个TO-220A封装的双向可控硅。型号是BTA16-600CW，从品牌LOGO上来看是来自于捷捷微。

05 光耦

用来驱动双向可控硅的光耦型号是QXM3063，来自群芯微。

原文来自：

微信公众平台 (qq.com)