一、NOR FLASH介绍
FLASH是常用的用于储存数据的半导体器件，它具有容量大，可重复擦写、按“扇区/块”擦除、掉电后数据可继续保存的特性。
FLASH是有一个物理特性：只能写0，不能写1，写1靠擦除。
FLASH主要有NOR Flash和NAND Flash两种类型，NOR和NAND是两种数字门电路。
二、NM25Q128 简介
NM25Q128，串行闪存器件，属于NOR FLASH中的一种，容量为128 Mb。擦写周期可达10W次，可以将数据保存达20年之久。
SPI数据传输时序：支持模式0（CPOL = 0 , CPHA = 0）和模式3（CPOL = 1, CPHA = 1）。
数据格式：数据长度8位大小，先发高位，再发低位（MSB）。
传输速度：支持标准模式104M bit/s。
原理图（战舰版，F103）：
CS : 片选信号输入。
SO : 数据输出。
WP : 写保护功能。
HOLD : 暂停通讯。
CLK : 时钟输入。
SI : 数据输入。
三、NM25Q128存储结构
图1 NM25Q128存储结构图
1 page = 1 byte * 256
1 sector = 1 page * 16
1 block = 1 sector * 16
25Q128 = 1 block * 256
地址范围（0x0 ~ 0xFFFFFF）
25Q128存储容量为128M bit，即16M Byte（128M bit / 8 = 16M Byte）
四、NM25Q128常用指令、读/擦除/写 步骤
① 常用指令：
| 指令(HEX) | 名称 | 作用 |
| 0X06 | 写使能 | 写入数据/擦除之前，必须先发送该指令 |
| 0X05 | 读SR1 | 判定FLASH是否处于空闲状态，擦除用 |
| 0X03 | 读数据 | 用于读取NOR FLASH数据 |
| 0X02 | 页写 | 用于写入NOR FLASH数据，最多写256字节 |
| 0X20 | 扇区擦除 | 扇区擦除指令，最小擦除单位（4096字节） |
② 写使能 Write Enable (06H)
执行Page Program页写，Sector Erase扇区擦除，Block Erase块擦除，Chip Erase片擦除，
Write Status Register写状态寄存器等指令前，需要写使能。
图2 写使能时序图
其中，SI 从机输入。SO从机输出，CS片选。
③ 读状态寄存器Read Status Reg1（05H）
05h，SR1，状态寄存器1。
35h，SR2，状态寄存器2。
15h，SR3，状态寄存器3。
④ 读时序 Read Data Bytes（03H）
发送24位地址，需要分3次发送，因为NM25Q128支持8个字节。
如果一直要读取数据，则需要一直发送脉冲（SCLK）。
⑤ 页写时序 PageProgram (02H)
页写命令最多可以向FLASH传输256个字节的数据
⑥ 扇区擦除时序 Sector Erase（20H）
FLASH存储器的特性决定了它只能把原来为“1”的数据位改写成“0”，而原来为“0”的数据位不能直接改写为“1”。
⑦ 状态寄存器表
BUSY位 指示当前状态 0：空闲状态(硬件自动清除) 1：当前处于忙碌状态
WEL位 执行WriteEnable指令该位为1，可以页写/扇区or块or片擦除/写状态寄存器
0：写禁止，不能页编程/扇区or块or片擦除/写状态寄存器
⑧ NM25Q128读操作步骤
1、发送读命令（0X03）
2、发送0X03读数据指令
3、读取数据，主机发送空字节（0XFF），给从机脉冲，从机发送数据，主机读取数据，支持连续读
⑨ NM25Q128擦除扇区步骤
1，发送写使能命令（0X06）
2，等待NOR FLASH空闲
3，发送擦除扇区命令（0X20）
4，发送地址（24位），发送要擦除的字节地址，自动擦除该地址所在扇区
5，等待空闲，等待擦除完成
⑩ NM25Q128写操作步骤（极简）
1，擦除扇区（0X20）
2，发送写使能命令（0X06）
3，发送页写命令（0X02），发送页写命令后，一次最多写入256字节
4，发送要写入的地址（24位）
5、发送要写入的数据，一次最多写入256字节
6、等待写入完成（等待空闲状态）
