2. 在 system_gd32f30x.c 文件中增加使用 180MHz 频率函数的声明，如图 4.14 所示：

图 4.14 180MHz 函数声明

3. 在 system_gd32f30x.c 文件中增加使用 180MHz 频率函数的定义：

static void system_clock_180m_hxtal(void)
{
uint32_t timeout = 0U;
 uint32_t stab_flag = 0U;
 /* enable HXTAL */
 RCU_CTL |= RCU_CTL_HXTALEN;
 /* wait until HXTAL is stable or the startup time is longer than
HXTAL_STARTUP_TIMEOUT*/
 do{
 timeout++;
 stab_flag = (RCU_CTL & RCU_CTL_HXTALSTB);
 }while((0U == stab_flag) && (HXTAL_STARTUP_TIMEOUT != timeout));
 /* if fail */
 if(0U == (RCU_CTL & RCU_CTL_HXTALSTB)){
 while(1){
 }
 }
 FMC_WS = (FMC_WS & (~FMC_WS_WSCNT)) | WS_WSCNT(4);
 RCU_APB1EN |= RCU_APB1EN_PMUEN;
 /* HXTAL is stable */
 /* AHB = SYSCLK */
 RCU_CFG0 |= RCU_AHB_CKSYS_DIV1;
 /* APB2 = AHB/1 */
 RCU_CFG0 |= RCU_APB2_CKAHB_DIV1;
 /* APB1 = AHB/2 */
 RCU_CFG0 |= RCU_APB1_CKAHB_DIV2;
 /* select HXTAL/2 as clock source */
 RCU_CFG0 &= ~(RCU_CFG0_PLLSEL | RCU_CFG0_PREDV0);
 RCU_CFG0 |= (RCU_PLLSRC_HXTAL_IRC48M | RCU_CFG0_PREDV0);
 /* CK_PLL = (CK_HXTAL/2) * 45 = 180 MHz */
 RCU_CFG0 &= ~(RCU_CFG0_PLLMF | RCU_CFG0_PLLMF_4 | RCU_CFG0_PLLMF_5);
RCU_CFG0 |= RCU_PLL_MUL45;
 /* enable PLL */
 RCU_CTL |= RCU_CTL_PLLEN;
 /* wait until PLL is stable */
 while(0U == (RCU_CTL & RCU_CTL_PLLSTB)){
 }
 /* enable the high-drive to extend the clock frequency to 180 MHz */
 PMU_CTL0 |= PMU_CTL0_HDEN;
 while(0U == (PMU_CS0 & PMU_CS0_HDRF)){
 }
 /* select the high-drive mode */
 PMU_CTL0 |= PMU_CTL0_HDS;
 while(0U == (PMU_CS0 & PMU_CS0_HDSRF)){
 }
 /* select PLL as system clock */
 RCU_CFG0 &= ~RCU_CFG0_SCS;
 RCU_CFG0 |= RCU_CKSYSSRC_PLL;
 /* wait until PLL is selected as system clock */
 while(0U == (RCU_CFG0 & RCU_SCSS_PLL)){
 }
}

5. 触发源

GD32E503 的 ADC 外部触发相对于 GD32F303 新增了超高精度 TIEMR 的触发源。

6. 单端和差分输入通道

GD32F303 只支持单端输入模式。 GD32E503 可通过配置 ADC_DIFCTL 寄存器中的DIFCTL[14:0]位域，可以配置 ADC 通道为单端输入模式或差分输入模式。只有在 ADC 禁能（ADCON = 0 ）的情况下才能进行该配置。

上诉几点为 GD32F303 和 GD32E503 的 ADC 的差异，具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

GD32E503 较 GD32F303 的 DAC 触发源增加了高精度定时器 SHRTIMER 提供的触发源。

GD32E503 在数据保持寄存器和输出寄存器之间有一个 4 位深度的数据 FIFO ，如果设置了相应的中断使能位，则在发生过载或欠载时将产生中断。具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

USARTx(0~4):

GD32E503 与 GD32F303 一样，有 USART0~2 ， UART3~4 ，其中 GD32F303 仅支持 16 倍过采样，最高速度可到 7.5MBits/s ； GD32E503 支持 8 或 16 倍过采样，最高速度22.5MBits/s。 USART 中断事件， GD32E503 较 GD32F303 多增加了 “检测到冲突”事件。 GD32E503 所有的 USART 都支持 DMA 功能。 GD32F303 的 UART4 不支持 DMA 功能。

USART5 ：

GD32E503 还增设了 USART5 ，对比 USART0~4 这几个串口的功能，多加了半双工单线通信，接收 FIFO 功能，双时钟域，可互换 TX/RX 引脚，可配置的数据极性，自动检测波特率，支持 RS485 驱动使能，支持 ModBus 通信，从深度睡眠模式，深度睡眠模式 1 和深度睡眠模式 2 唤醒，奇偶校验位控制，具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

I2C0~I2C1:

GD32E503 较 GD32F303 多支持了 SAM_V 模式。

I2C2:

GD32E503 还增设了 I2C2 ，I2C2 除了部分特征与 I2C0 、I2C1 一样外，还具有如下的特征：

支持多个 7 位从机地址，可编程的建立时间和保持时间，兼容 SMBus 3.0 和 PMBus 1.3 ，可选择的 PEC （报文错误校验）生产和校验；地址匹配时，可由深度睡眠模式，深度睡眠模式1 和深度睡眠模式 2 唤醒；独立于 PCLK 的时钟，可以独立操作 I2C 。GD32F303 的 I2C 寄存器可以按半字（ 16 位）或字（ 32 位）访问。 GD32E503 的 I2C 寄存器只能按字（32 位）访问，具体的功能及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

GD32E503 较 GD32F303 ， I2S 支持全双工模式， I2S1 和 I2S2 为了支持全双工运行模式，需要两个额外的片上I2S 模块： I2S_ADD1 和 I2S_ADD2 。 I2S_ADD_SD 引脚是I2S_ADD模块的数据引脚，具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

GD32F303 系列产品中只有一个 CAN0 功能，具有 14 个过滤器， GD32E503 具有两个 CAN ，

CAN0 和 CAN1 ，他们共享 28 个过滤器， GD32E503 较 GD32F303 还支持支持 CAN-FD帧，CAN-FD 帧通信波特率最大为 6Mbit/s ，支持传输延迟补偿机制，具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

GD32F303 bank0 的闪存页大小为 2KB ， bank1 的闪存页大小为 4KB ； GD32E503 的闪存页大小为 8KB 。 GD32F303 在闪存的前 256K 字节空间内， CPU 执行指令零等待，在此范围外，CPU 读取指令存在较长延时；而 GD32E503 在闪存的前 512K 字节空间内， CPU 执行指令需要少量等待时间。另外 GD32E503 增加了 2K 字节 OTP 块（一次性编程），用于存储用户数据；具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

GD32E503 还增加了 SHRTIMER 、 TMU 和 SQPI 等功能，具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E50x 用户手册。

更多  GD32   MCU相关咨询：  https://www.gd32bbs.com/