---

一、特性

• 宽带开关：-3 dB 在 4.5 GHz
• 吸收型开关
• 高关断隔离度：在 1 GHz 时为 38 dB
• 低插入损耗：在 1 GHz 时为 0.8 dB
• 单一 1.65 V 至 2.75 V 电源
• CMOS/LVTTL 控制逻辑
• 小巧的 3 mm × 3 mm LFCSP 封装
• 低功耗（<2.5 µA）

二、增强产品特性

• 支持国防和航空航天应用（AQEC 标准）
• 军用温度范围：-55°C 至 +125°C
• 控制的制造基线
• 单一装配/测试地点
• 单一制造地点
• 增强的产品变更通知
• 资格数据可根据请求提供

三、应用

• 无线通信
• 通用射频（RF）切换
• 双频应用
• 高速滤波器选择
• 数字收发器前端开关
• IF 切换
• 调谐器模块
• 天线多样性切换

四、一般描述

ADG901-EP 是一种宽带开关，采用 CMOS 工艺，可提供高隔离度和低插入损耗至 1 GHz。ADG901-EP 是一种吸收型（匹配）开关，具有 50 Ω 终端分支。该开关设计在 DC 至 1 GHz 频率范围内具有高隔离度。ADG901-EP 具有板载 CMOS 控制逻辑，因此无需外部控制电路。控制输入兼容 CMOS 和 LVTTL。这种 CMOS 器件的低功耗使其非常适合无线应用和通用高频切换。更多应用和技术信息请参见 ADG901 数据表。

五、极低功耗

V_DD最小为1.65V，最大为2.75V；
在电源端供电为0V或V_DD时，电流标准值仅为0.1uA，最大为2.5uA.

六、引脚描述

引脚2为控制信号；引脚1为外接电源。

所有引脚都有连接或接地，不可悬空。

七、尺寸参数

八、电路连接

V_DD需要连接一个旁路电容接地。