光刻（photolithography）

工艺步骤：

扩散和离子注入：900~1100℃

淀积

刻蚀

平面化

衬底选择：常用（100）晶面（原因：面密度小，界面态少）

设计规则（design rules）：λ为最小线宽的1/2：例如对于一个0.25um的工艺，其λ的值为0.125um。