N沟道结型MOSFET的结构

看完上图，会发现其实本质上二极管，三极管，MOS管都是PN结，如果第一章一.1.（1）半导体基础知识_木头的最外层电子是多少个-CSDN博客

理解消化以后，发现底层原理都一样。

例如,二极管是一个PN结，里面有一个空间电荷区（耗尽层）。外加正向电压时，会使耗尽层变窄，扩散运动加剧，也就是二极管的电阻减少，电流增大。反向电压时，会让耗尽层变宽，阻碍扩散运动，有利于漂移运动，也就是二极管电阻增大，电流减少，反向漏电流增加的一个过程。

三极管呢就是两个PN结，,MOS管呢也可以这么简单理解。

N沟道结型MOSFET的工作原理

继续上面的说法，N沟道增强型MOSFET，UGS越大，PN结之间的耗尽层就会变窄，然后DS之间的沟道就宽敞了，RDS就减少，IDS就可以变大。反之，UGS越小，PN结之间的耗尽层就会变宽，然后DS之间的沟道就窄了，RDS就增加。

这个也是同样的原理，可以根据PN结原理自己分析一下为什么呈楔形

N沟道结型MOSFET的四个区

这个地方可以实现小电压下的数字电位器或者数控电源。