概念

SSD（Solid State Drive）固态硬盘，是以闪存为介质的存储设备；这里突出的重点是闪存。

闪存，也就是常说的flash，分为NOR 和 NAND；

NOR的地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上；它的使用也类似内存芯片，传输效率很高，可执行程序可以直接在flash内执行，而不用再把代码读到系统RAM中。

NOR的特点，读快写慢，容量较小，多用于存储系统的启动程序，如BIOS，或设备的FW，这种一次写入的场合。

NAND共用地址线和数据线，所以NAND不能对一个字节清除数据，而只能对一个固定大小的空间进行清空，而NOR可以对字节清空数据，这也是为什么NAND的写速度比NOR快的原因。NAND的容量可以非常大，常作为SSD盘的存储介质。

分类

根据接口不同，SSD分为SATA、SAS、PCIe(即NVMe) SSD; 接口不同其上运行的协议也就不同：

但它们的存储介质都是闪存。

闪存的基本结构是浮栅晶体管，他与HDD存储介质最大的区别是写之前要先进性擦除操作，但由于NAND不能只擦除一个字节，而是一次擦除一个固定大小的区域，所以即使我们只写一个字节，也要擦除整个区域，为了避免影响到这个区域的其他数据，就要先进行读取，然后再内存中进行修改，然后擦除这个区域，再把整个修改后的数据写进去；可见闪存介质的写入是比较麻烦的，要经过读取-擦除-写入的动作，也就是常说的“写放大”，写放大系数越大，写入的效率越低，所以SSD控制器要控制写放大系数。至于浮栅晶体管为什么写入前要先擦除，请自行百度。

并且浮栅晶体管分为SLC、MLC、TLC、QLC，具体的分类原理也请自行百度。