MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，其工作原理是：在P型半导体与N型半导体之间形成PN结，当加在MOS管栅极上的电压改变时，PN结之间的沟道内载流子的数量会随之改变，沟道电阻也会发生改变，进而改变源极和漏极之间的电流大小。
MOS管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。
惠海半导体的MOS管有中低压NMOS和PMOS管，可搭配芯片。
我司MOS具有：低内阻、低开启、低结电容、等特性，SGT工艺和沟道MOS 管专注高品质 MOS 管研发、生产、销售。
MOS管支持30V，60V，100V，150V等耐压，有SOT23，PDFN3*3，PDFN5*5，SOT89-3，SOP-8，TO-252等多种封装类型，适用于各种领域。
包括常规型号：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 30N10 40N10 17N06 20N06 30N06 50N06 70N06 20N03 30N03 50N03 70N03等等。
我司型号：HC90N03M，HG004N03L，HC3022D，HC3039P，HC020N03L，HC3600M，HC3400Y，HG008N06L，HG6037D，HG011N06L，HC015N06L，HC031N06L，HC070N06L，HC070N06LS，HG008N10L，HG010N10L，HC025N10L，HG024N10L，HC070N10L，HC13N10，HC070N10S，HC6N10，HC090N10L，HG160N10L，HG160N10LS，HC210N10LS，HC120N15L, HC240N15。
