1.结构
内部实际上是一个PN结，将电极引线和其封装在一起就构成了二极管
拓展：点接触型二极管，面接触型二极管
2.工作原理
3.参数（以肖特基二极管SS56为例）
MAX Forward Voltage(最大导通电压) ，因为SS56是硅管，教材上给出导通电压为0.5-0.8V，这里的0.7V是最大导通电压，工程上一般0.65V就克服PN结内电场微导通。
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode（直流状态下最大的反向漏电流），二极管器件在加反向电压后，电路并非纯粹的断开状态，而是存在反向漏电流（IF）
Typical junction capacitance（结电容）这个目前没用过，应该与工作频率有关
Thermal Resistance（热阻）二极管导通后，随着电流不断增大，自由电子运动也更剧烈，会撞击原子核，发热
（热阻：热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，表明了 1W热量所引起的温升大小，单位为K/W或℃/W。）
Repetitive Peak Reverse Voltage（最大反向峰值电压） 超过管子就会烧毁
Average Rectified Output Current（平均整流输出电流）就是管子长期工作的所允许最大平均电流
Forward Surge Current (正向浪涌峰值电流)
4.伏安特性曲线
4.1当二极管两端电压大于二极管内电场，（此图为锗管），正向电流随着电压增大而增大
4.2当二极管被施以反向电压时，虽然耗尽层变宽，但会存在漏电流（P区自由电子移动到N区）
4.3当反向电压达到一定值时，耗尽层里的共价键内的电子会被吸出来，形成齐纳击穿
4.4当反向电压达到更高时，自由移动电子轰击原子核，大量电子被释放，形成雪崩击穿
拓展：理想二极管
以ltc4412芯片为例，工程链接如下理想二极管（已经测试） - 嘉立创EDA开源硬件平台 嘉立创EDA开源硬件平台，开源广场汇集了多种类型的电路设计工程，快速实现资源共享！
https://oshwhub.com/jhx275816/li-xiang-er-ji-guan-yi-jing-ce-shi
