一、选型背景

MOS管是常用元器件之一，学校出来后，很多人都对BJT感兴趣和熟悉，对MOS的熟悉度相对BJT要少一些，即使工作了两三年，对MOS的理解也还是不多，下面通过对MOS管的一些参数解读，加深对MOS的理解。

二、MOS选型参数

2.1 Vgsth

Vgsth：栅极的门槛电压

参数含义：栅极G和源极S之间的电压超过Vgsth，那么MOS管导通。

Vgs电压逐步升高，IDS电流逐步提高，当Vgs达到一定幅度后，IDS不再增加。

2.2 Vds

Vds：漏极D和源极S之间的电压

参数含义：如果瞬间电压超过Vdsmax 或 工作电压超过Vdsmax，那么MOS管会击穿损坏

2.3 IDC

参数含义：漏极D和源极S之间的额定电流，超过这个电流值，MOS结温过高，直到烧坏。

在MOS的datasheet里，有结温的温度范围：-55℃-125℃

温度=55℃/W *2.8W=154℃

2.4 RDS（on）

参数含义：MOS用于A安培级的电流时，需要关注此参数，因为导通电阻会分压，以发热的形式消耗导通电阻的功率，降低转换效率。

2.5 Ciss和开关频率

2.6 Coss与

2.7 ESD防护  静电损坏，输入阻抗很大，微小的电流，意味着较大的电压