斯坦福大学的研究人员开发出了一种新型相变存储器，该存储器有望帮助计算机更快、更高效地处理大量数据。在最近发表于《自然通讯》的一篇论文中，研究人员详细介绍了这项技术，表明一种新材料可能会使基于电阻高低状态切换以创建计算机数据“0”和“1”的相变内存成为未来人工智能和数据密集型系统的更优选择。

当前的计算机体系架构中，易失性内存（速度快但断电后信息消失）负责处理任务，而非易失性内存（速度较慢但无需持续供电就能保存信息）则负责长期存储。这种数据在两种不同位置间转移的过程可能导致瓶颈问题，尤其是在处理器等待大量数据检索时会消耗大量的能量和时间。

斯坦福大学研究团队展示的新型相变存储器采用了一种名为GST467的合金材料，由锗、锑和碲以4:6:7的比例组成，此合金由马里兰大学的合作团队研发。研究者们发现将这种合金置于超晶格结构中的其他几层纳米级材料之间，可以实现低能耗、高速度、高耐久性和极佳稳定性，并且具备非易失性特征，即能够在没有电源的情况下保持状态长达十年或更久。

这项研究使用了超晶格结构，它是一种多层叠合结构，先前已被证明在实现优质的非易失性内存方面表现出色。尤其是GST467的独特组成使其具有特别快的开关速度，在纳米级设备中整合到超晶格结构后，实现了低能耗切换，并在多项关键指标上都达到了高标准。

此外，这种基于GST467超晶格的存储器还设定了新的基准：其稳定性能优越，工作电压低于1V，满足低功耗技术的目标要求；并且比典型的固态硬盘（SSD）更快。虽然目前还有其他类型的非易失性内存可能在速度上略胜一筹，但它们通常需要更高的电压或功率才能运行。而这款相变存储器能在低于1伏特的电压下以几十纳秒的速度进行切换，这无疑是一个重大突破。

该超晶格结构还能在较小空间内封装相当数量的内存单元，研究人员已将其尺寸缩小至直径40纳米，远小于冠状病毒的大小。尽管在密度上尚未达到理论极限，但研究者正在探索通过堆叠垂直层来增加密度的方法，而这得益于超晶格的低温制造工艺以及用于创建它的技术手段。

综上所述，斯坦福大学科研团队开发的基于GST467超晶格结构的新型相变存储器，在低能耗、高速度、高稳定性及小尺寸等多方面取得了显著进展，为构建兼具高速处理和长期存储功能的“通用内存”铺平了道路。这一研究成果不仅刷新了相变存储技术的现有记录，也为未来的高性能计算、人工智能以及其他数据密集型应用提供了重要的技术支持。