三极管介绍
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，
也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
我们常说的三极管，是双极结型三极管（Bipolar Junction
Transistor，BJT），场效应三极管（FET）也是三极管，常见的是金属-氧化物-半导体三极管（MOSFET）。
三极管判别分类
分辨NPN还是PNP的技巧：
看三极管中箭头指向，箭头代表着电流方向.
我们都知道PN结电流是P流向N，说明PN结中导通时电压是P高于N，电流由P流向N。如果箭头指向基极，说明电流流向基极，则基极是N，两边是P，三极管就是PNP三极管。相反，如果箭头由基极指向发射极，基极电流是留出的，则基极是P，两边是N，三极管就是NPN三极管。
三极管物理结构
其中的P和N即上述PN结中的P区和N区。当C接地时，B做控制引脚，NPN型三极管控制脚为高电平时，三极管导通。PNP三极管控制脚为负电压时，三极管导通。
三极管导通条件
NPN型导通条件：
1、 Vbe电压大于导通电压（通常为0.6V至0.7V，根据芯片资料确定，芯片资料上可能称为恒压峰值Vbe(on)）；
2、不导通的时候，相当于断路，导通的时候C端和E端之间会有一个很小的压降（芯片手册上称为集电极-发射极饱和压降，写作Vce(sat)或者Vce(on)，一般为几十到几百毫伏。
PNP型导通条件：
1、Vbe电压小于导通电压（通常为-0.6V至-0.7V，详细看芯片资料）。
2、导通的时候发射极和集电极之间也会有一个小压降。
三极管常见封装
