一、MOS管导通原理。

MOS管的两个重要参数
VGS(th)：开启电压
VGS(off)：预夹断电压
VDS(max)漏源破坏电压
1、MOS管：
当0=<VGS<VGS(th),MOS管关断。
当VGS>VGS(th)，VDS>0，NMOS管导通。
VGD=VGS-VDS；当VGS保持不变，随着VDS的增大，VGD逐渐减小，导致靠近漏极D一侧的耗尽层变宽，导电沟道变窄，但漏极电流Id随着VDS的增大而线性增大。
当VGD=VGS(off)，MOS管进入饱和区。此后再增大VDS，电流ID也不会发生变化。
当VDS>VDS(max)时，MOS管被击穿损坏。

2、PMOS：
PMOS管特性与NMOS管类型，但相反。
当0>VGS>VGS(th)，VDS<0，PMOS管截止。
当VGS<VGS(th)<0，VDS<0，PMOS管导通。
当VDS<VDS(max)<0时，MOS管被击穿损坏。

二、电路

三极管驱动PMOS实现3.3V转24V电路
Q1导通，Vgs=12v-24v=-12v<Vt=-2.5v ,Q4导通，PWM_OUT1=24V;
Q1截止，Vgs=0v>Vt=-2.5v ,Q4截止，PWM_OUT1=0V;

三极管驱动NMOS实现3.3V转24V电路
Q2截止，VGS=0<Vt=2.5V,Q3截止，PWM_OUT2=0;
Q2导通，VGS=5V>Vt=2.5V,Q3导通，PWM_OUT2=24V;