关于PowerTrench® MOSFET？

它是一种MOS场效应晶体管，可以提高系统效率和功率密度。该技术采用了屏蔽栅极技术，可以减少开关损耗和导通损耗，从而提高了系统效率。此外，PowerTrench® MOSFET还具有低导通电阻和高开关速度的特点，可以提高系统的功率密度。

P沟道：

是一种MOS场效应管，它的源极S接输入，漏极D导通输出，与N沟道相反。当P沟道的栅极电压低于阈值电压时，无法形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当栅极电压高于阈值电压时，才有沟道形成。这种必须在栅极电压高于阈值电压时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型P沟道MOS管。沟道形成以后，在漏极和源极间加上正向电压，就有漏极电流产生。

FDG6306P 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。

特性：

1.-0.6 A、-20 V。

2.RDS(ON) = 420 mΩ @ VGS = –4.5 V

3.RDS(ON) = 630 mΩ @ VGS = –2.5 V

4.低栅极电荷

5.高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

6.紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装

应用领域：

变频器

工业逆变器

不间断电源

感应加热

新能源汽车