1.半导体器件

功率半导体器件仍然是电力电子技术发展的龙头， 电力电子技术的进步必须依靠不断推出的新型电力电子器件。

功率场效应管MOSFET由于采用单极性多子导电， 使开关时间显著地减小，又因其很容易达到 1MHz 的开关工作频率而受到世人瞩目。 但是MOSFET提高器件阻断电压必须加宽器件的漂移区，结果使器件内阻迅速增大，通态压降增高，通态损耗增大，所以只能应用于中小功率产品。