前言

  本文为本人学习Cadence Virtuoso相关操作的学习笔记，意为帮助入门小白快速上手，采用的软件版本为Cadence Virtuoso IC617。

  本文主要目的是介绍如何用Cadence Virtuoso IC617进行Library的创建、cell的创建、简单仿真操作。

一、软件操作

（1）创建自己的Library

  打开CIW页面，顺序点击File->New->Library进行创建

  对弹出的New Library页面进行设置，分别进行，并将其挂载于已存在的技术库 “TSMC18rf” ,最后点击OK

  新建完成后，可以点击Tools->Library Manager进行查看

  可以看到名为 “CSDN” 的Library已经创建完毕

（2）创建Library下的 Cell

  在CIW窗口下或者Library Manager窗口下进行新建，操作一致，此处以Library Manager窗口下创建为例顺序点击File->New->Cell view

  弹出New File窗口，对其进行设置，1、选择文件存储的Library 为 “CSDN” ; 2、将Cell命名为 “MOS” ；3、选择视图View为 “schematic” ; 4、点解OK完成Cell创建

二、电路搭建

（1）调出器件

  在弹出的原理图窗口下，按快捷键 “i” 添加器件弹出 “Add Instance” 对话框

   “Add Instance” 对话框下，点击Browse进行浏览，选择需要调用的器件。

  此处从tsmc18rf技术库中调出一个nmos，名为 “nmos3v”,选择后，鼠标移到电路图页面，即可看到待放置的器件。

  可以在放置前对MOS的相关参数进行设置，或者放置后，选择器件，用快捷键Q进行参数设置修改，页面如下

  同理，为了进行仿真设置，需要调取analoglib中的理想直流电压源 “vdc” 和 “gnd”,进行电路搭建。

最后电路如图所示：
  将电源的value分别设置为 “vgs” 和 “vds”,当然，直接设置为具体的值也是可以的，这里我选择参数的目的，是为了下面教你们进行参数相关操作，比如参数扫描。

三、电路仿真

（1）打开仿真工具“ADE L”

  如图，在原理图页面左上角，选择 “ADE L” 工具进行仿真

(2) 对参数进行赋值

（3）选择仿真的输出端口

  具体为什么这么选，翻译以下很清楚，不再过多阐述，能来看这个文章的，英语能力都是可以的！

  进行上图点击后，页面会自动切换到原理图页面，此时需要对待观察端口进行选择

  选择好待观察的端口，然后如下图

（4）选择仿真类型

  兄弟坚持下，再点“亿”下下，就可以看到仿真图了！！！看到这，你还快去给我 “一键三连” ！我敲字也好累啊！

  弹出选择仿真类型的窗口 “Choosing Analyses”,此次需要进行DC分析，因此选择 “dc”

  对选择的参数 “vds" 进行扫描，范围0~3.3V，如下图。

（5）dc仿真结果

  “Netlist And Run” 扫描vds得到的结果

四、参数分析（Parameter Analysis）

(1)打开Parameter Analysis工具

   在“ADE L”窗口，顺序点击Tools->Parameter Analysis

  弹出 >Parameter Analysis页面

(2) 参数分析仿真结果

(3) 仿真图背景修改

  打开仿真图背景设置

  将背景设置为白色，便于观察，以及文档绘制

(4) 仿真曲线显示格式修改

  选中需要修改的线，右击进行线条 “Width” 属性修改

  选中需要修改的线，右击进行线条 “Style” 属性修改

  重复操作，将每条线都进行相应调整，当然也以在工具栏中选择Graph->Add Label 进行标签添加，或者通过Marker选择 ”Create Marker“ 进行辅助线的添加，进行对仿真图的解释。此处进度线条进行修改。

五、电路分析

  过对电路中MOS管的尺寸进行修改，进行理论分析

参见【笔记：模拟CMOS集成电路】MOS特性仿真分析