ARM处理器核心概述

news2025/1/12 9:48:19

一、基于ARM处理器的嵌入式系统

  1. ARM核深度嵌入SOC中,通过JTAG口进行外部调试。
  2. 计通常既有外部内存又有内部内存,从而支持不通的内存宽度、速度和大小。
  3. 一般会包含一个中断控制器。
  4. 可能包含一些Primece外设,需要从ARM公司取得授权。
  5. 总线使用ARM的标准如AMBA总线。
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二、ARM处理器存储器子系统相关术语

  1. MPU(内存保护单元)
  2. 面向实时控制领域
  3. 控制内存访问权限
  4. 控制器内存区域的属性(Cacheable,bufferable)
  5. ARM的IO空间和主存空间是统一编址。
  6. IO空间不能设置缓存,主存可以设置缓存

MMU(内存管理单元)
面向复杂的APP的processor,如移动终端
具有MPU的所有特性
提供虚拟地址到物理地址的转换,提供操作系统的续存管理
嵌入式LINUX是支持MMU的

Cache(高速缓存)
快速本地内存
存放最近被访问过的内存副本

TCM(紧耦合内存)
快速本地内存
特定地址范围

Write buffer(写缓存区)
减少写数据到外部内存的次数

ARM Processor Core
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三、ARM处理器体系结构的发展

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注意:相同体系可能有完全不同的实现
ARM7TDMI-arch v4T.冯诺伊曼结构,3级流水线
ARM920T-arch v4T.哈佛结构,5级流水线,具有MMU

ARM内核系列
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四、典型ARM CPU核

4.1 ARM7TDMI

T:Thumb架构扩展,从而提供两个独立指令集:
ARM指令,均为32位
Thumb指令,均为16位
根据运行状态选择指令集
D: 内核具有Debug扩展结构
M:增强乘法器(32 x 8)支持64位结果
I:EmbeddedCE逻辑

  1. 3级流水线,属于V4T体系
  2. 冯.诺伊曼架构
  3. CPI(Cycle Per Instruction)=1.9
  4. 曾经最流行的低端ARM核
    在这里插入图片描述
    ARM7TDMI的内核结构图

3级流水线:取值解码执行,从而允许 一些操作同时运行。Pipeline
需要注意的是,PC指向的是将要被预取的指令,而不是执行的指令。一般调试工具会隐藏这个细节。
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理想的3级流水线
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  1. 所有的操作都是在寄存器进行(单独一个周期执行)
  2. 6个时钟周期执行了6条指令
  3. Clock cycles per instruction (CPI) = 1

存在LDR内存操作的流水线
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  1. 存在一个LDR的内存读取操作指令
  2. 6个时钟周期执行了4条指令
  3. Clock cycles per instruction (CPI) = 1.5

存在分支指令的流水线
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分支指令的存在可能打断流水线的运行

4.2 ARM9TDMI

  1. V4T架构,5级流水线,CPI约为1.5
  2. 时钟频率得到最大提高
  3. 哈佛体系,增加了可访问内存的带宽,可同时对指令内存和数据内存进行访问。
  4. 一般支持内置Cache.
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    ARM9TDMI的流水线技术
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    ARM9TDMI的理想流水线
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    LDR指令不会引起流水线互锁
    6个时钟周期执行了6条指令
    Clock cycles per instruction (CPI) = 1

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紧接着LDR指令后用相同寄存器的数据操作会引起互锁,原因使用相同的寄存器,后面的指令执行依赖相同寄存器。
7个时钟周期执行了6条指令,CPI=1.2

4.3 ARM11

ARM V6架构,8级流水线,支持静态和动态的分支预测以及返回堆栈
低延迟的中断模式
内部可配置的TCM
支持64位内存接口
集成的VFP处理器(可选)
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4.4 Cortex系列

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