标题：Simulation Study of 4H-SiC UMOSFET Structure With p+ -polySi/SiC Shielded Region
摘要
在这篇论文中，我们提出了一种改进效率的4H-SiC U型沟槽栅MOSFET（UMOSFET）结构。所提出的器件结构利用p±polySi/SiC被屏蔽区来降低导通状态的比电阻。我们展示了由p+ -polySi和n-drift区域形成的异质结二极管改善了体二极管效应，从而减少了反向恢复电荷。此外，我们通过模拟结果说明，与传统的p±SiC被屏蔽UMOSFET相比，所提出的器件结构在优势因子（包括击穿电压和导通电阻）方面提供了56.5%的改善，并分别在比电阻和反向恢复电荷方面减少了35.7%和55.5%。
关键词：击穿电压（BV）、电场、导通状态比电阻（RON,sp）、反向恢复电荷（Qrr）、碳化硅（SiC）、U型沟槽栅MOSFET（UMOSFET）
文章研究了什么
该文章研究了带有 p+ -polySi/SiC 被屏蔽区的 4H-SiC UMOSFET 结构的模拟。
文章的创新点是什么
该文章的创新点是提出了一种具有 p+ -polySi/SiC 被屏蔽区的改进效率的4H-SiC UMOSFET结构。该结构利用由 p+ -polySi 和 n-drift 区域形成的异质结二极管来改善体二极管效应并减少反向恢复电荷。通过模拟结果表明，与传统的 p+ -SiC 被屏蔽 UMOSFET 相比，所提出的器件结构在优势因子（包括击穿电压和导通电阻）方面提供了56.5%的改善，并分别在比电阻和反向恢复电荷方面减少了35.7%和55.5%。
文章的研究方法
- 该文章采用基于模拟的研究方法。
- 使用商业软件ATLAS SILVACO对所提出的沟槽栅4H-SiC MOSFET结构进行了模拟，并获得了器件的示意图剖面视图。
- 模拟过程基于多个物理模型，包括FLDMOB、ANALYTIC、SRH、AUGER、IMPACT SELB和INCOMPLETE模型。
- 模拟器件的详细参数列在表格I中。
- 通过模拟结果对比传统的p+ -SiC被屏蔽UMOSFET，评估了所提出的器件结构的性能。
- 研究了p-polySi/SiC被屏蔽区比例LpolySiLSiC对击穿电压（BV）和导通电阻（RON,sp）的影响。
- 分析了pn-SiC结和p-Sin-SiC结的能带图和耗尽区宽度，以了解所提出结构的行为。
文章的结论
- 该文章提出了一种具有 p+ -polySi/SiC 被屏蔽区的改进效率的4H-SiC UMOSFET结构。
- 所提出的结构相比传统的 p+ -SiC 被屏蔽 UMOSFET，在包括击穿电压和导通电阻在内的优势因子方面改善了56.5%。
- 它实现了35.7%的比电阻降低和55.5%的反向恢复电荷减少。
- 模拟结果表明，与 p+ -SiC 被屏蔽 UMOSFET 相比，p+ -polySi/SiC 被屏蔽 UMOSFET 的比电阻值减少了35.7%。
- 所提出结构的击穿性能保持不变。
- p+ -polySi/SiC 被屏蔽 UMOSFET 还改善了反向恢复特性，将反向恢复电荷减少了55.5%，相比于 p+ -SiC 版本。
