电感最重要的公式:
它说明了电感的很多特性。比如:
电感电流不能突变
电感的储能大小
电感的电流与电压的相位关系
还有电感的阻抗为什么是jwL。
电感电流不能突变
电感电流为什么不能突变呢?来看这个公式,U等于负的L乘以di比dt。Di比dt是指电流的变化率,电流突变,意味着di比dt无限大,会导致产生无限大的电压。尽管在实际电路中绝对的电流突变不存在,或多或少都会有时间,因此产生的电压总不会真的无穷大,但是是真的能产生很大的电压,高于电源电压都是可能会出现的。这种意外的高压会损坏器件。所以我们在一些感性的开关电路中,需要对感性器件留一个放电回路,避免产生高压。例如开关电源,继电器电路。通常是通过RC电路进行缓冲,也有的用二极管,TVS等。
电感储能公式
电感的储能也是由这个公式推导出来的,下面是推导过程,需要一些微积分的知识,感兴趣的可以看一下过程,不感兴趣的记下这个结果,电感储能为1/2LI^2,单位是焦耳。电感在t时间内,电流从0达到i,电源传输到电感的能量为:
从电感的储能公式可以看出,电感储存的能量是依存电流而存在的,什么意思呢?如果电流突变,突然变到0,储能的能量也突变到0,根据能量守恒定律,能量不能凭空消失,储存的能量必然会想办法迅速释放,这个释放就是产生高压,变成电场能量了。所以从这个角度,我们也要避免电感电流突变。
电感电压相位超前电流90°
电感的最重要的公式,还能导出电感电流与电压的相位关系,也就是我们常说的,电感电压超前电流90°。
导出过程是这样的,首先,我们知道,根据傅里叶变换原理,我们的电信号都是可以用傅里叶级数展开的,由无数的正弦波构成,电感的电流也不例外。所以,我们假定电感电流为最简单的单一正弦波,i=Isin(wt),代入电感的公式,那么我们求得加在电感两端的电压为Lisin(wt+90°),sin(wt+90°)比sin(wt)超前90°,所以我们说电感的电压比电流相位超前90°。
电感的复阻抗
我们知道了电感的电压,也知道了电感的电流。用电压除以电流,就能得到电感的复阻抗。
电压比电流相位超前90°,引入虚数单位j,所以得到电感的复阻抗jwL,j的物理意义就是电压比电流相位超前90°。
电感电流应该是电感最重要的参数了,电路设计必然会关注这个参数。
查看众多的电感规格书手册,有时也会把人搞懵,这是因为各家标注电流方式个不相同,有的厂家就只有一个额定电流,有的厂家会标两个,一个是饱和电流,一个是温升电流。还有的更为详细,会标电流的典型值和最大值,但是奇怪的是典型值居然比最大值还大。
为了理解这些内容,那我们就来看看饱和电流,温升电流,额定电流分别指的是什么吧。
饱和电流Isat
饱和电流Isat一般是指电感值相对于初始值衰减30%(一些厂家是10%,40%)的偏置电流。
饱和电流为什么会存在呢?
电感一般都含有磁芯,特别是功率电感,磁芯是存在磁饱和的。什么是磁饱和呢?由于磁芯材料自身的特性,其通过的磁通量是不可以无限增大的。通过一定体积导磁材料的磁通量大到一定数量将不再增加,不管你再增加电流或匝数,就达到磁饱和了。当电流已经使磁芯饱和,再增加电流,也基本不会再使磁通量增加,或者说增加很少,等同于空心电感的增量,因为饱和之后磁芯失去作用,等同于空心电感。电流增大,而磁通量不增加,那么电感阻碍电流的作用就没有了,也就是说电感器失去了作用,这时的磁芯完全饱和。
当然我们并不会等到电感完全饱和。事实上,在电流比较小的时候,单位电流产生的磁通量与电流成正比,这个意思就说磁芯磁导率为常数。而随着电流慢慢增大,单位电流的增加产生的磁通量的增量是下降的,也就是说随着电流的增加磁导率是慢慢下降的,因此,电感的感量也下降。所以就有了前面的定义,电感量衰减到30%(一些厂家是10%,40%),我们就说电感饱和了。
还有个问题,饱和电流到底是有效值还是瞬间值呢?毕竟用于开关电源中,电感电流是直流上面叠加交流分量,并且交流分量还不小,这个必须得搞清楚。
饱和电流可以理解为瞬间值,因为电感的饱和的原因是因为磁芯饱和,只要电流达到一定值,就会使磁芯磁饱和,而不论你是什么时候达到。所以在电路设计中,一定不要让电感的最大电流值(瞬间值)超过其饱和电流。
温升电流Irms
温升电流,一般指电感自我温升温度不超过40℃时的电流。
曾经有人问我,这个温升电流对应的温度,指的是电感内部的,还是指的外壳?这个问题我也没找到答案,不过应该不影响我们进行电感选型。
如上图,是顺络的某电感参数,可以看到,电感的工作温度范围是-40到+125℃,后面括号说明了是包含自我温升的,所以,当电路工作环境温度小于125-40=85℃时,只要我们电感电流不超过温升电流(此时温升为40度,加上环境温度,正好125度),那么就没有问题,当然了,我们会留一些裕量。
估计又有人问了,那我环境温度小于85度,那是不是就可以超过额定温升电流Irms使用呢?
理论上超一点没有问题,但是不建议,因为会有新的问题,超多少不会出现问题呢?没有一个定值。并且,因为超过Irms之后,温升随电流增加上升很快的,如下图示例所示:
这个曲线是顺络电感的电流与温升的关系,可以看到,曲线类似是指数曲线,在温升达到40度后,电流只要增加一点点,温度就升高很多。
所以,建议不管环境温度比85℃低多少,都不要使电感电流超过温升电流Irms,这样就万无一失了。
同样也有一个问题,这个温升电流是有效值还是瞬间值呢?
答案是有效值。温升电流,说的是使温度上升到一定值的电流大小,这不就是有效值的定义么,其符号rms也说明了这一点。
额定电流Irat
额定电流其实就是包含前面2个电流,饱和电流和温升电流。
我们工作中沟通时为了方便,说额定电流是多少多少,其实就那两个电流中的小者。有些规格书中只写了一个电流,那么设计中就把这个电流当作额定电流来设计。
来到开篇的问题,为什么最大值比典型值要小?
这是因为,典型值指的是,电感生产出来后,这个电流上限参数平均是某个值,这个值就叫典型值。而设计电路时,我们需要所用的所有电感,都能满足要求,所以不能是典型值。而标注的max值,厂家是站在用户的角度来说的,只要你设计不超过这个最大值,那么就OK,所以其实是所有电感的电流值都比这个max值要大,自然max值要比平均值type要小了。
总结
1、电感的额定电流,包含饱和电流和温升电流。
- 在电路设计中,电感的最大电流瞬间值不能超过饱和电流,电流有效值也不能超过温升电流。一般情况下,需要留20%-30%左右的裕量。
电感高频模型
电感的高频模型也很简单,首先它是电感,肯定有电感量L,然后导线有一定的阻值,必然存在R,同时,电容的本质就是两个导体并排放着,中间填上绝缘介质,就构成了电容。那么线圈与线圈之间距离很近,也会存在寄生电容C。
但是问题来了,它为什么是这样的组合呢?而不是右边这两种呢?
我们假定有均匀绕制的电感线圈,我们采用微分的办法,因为线圈宏观上看,它是一根导线构成,那么可以看成由无数的△R,△L串联构成构成,是连续的。同时,每一个微分单元本身是一段导线,那么微分单元与单元之间就相当于是电容的两个极板,即存在电容分量△C。所以,每一个微分单元可以看作是电感△L与电阻△R串联,然后一起同电容△C并联构成。无数这样微小的单元串联在一起,然后我们再简化一下,就构成了我们常见的电感的高频模型。
模型的作用
尽管我们实际使用的电感结构有各种各样的,但是原理都差不多,基本都可以用这个模型来等效。那么这个模型有什么用呢?它能帮忙我们理解下面内容
①可以很容易的理解电感的频率特性曲线,电感在不同频率下的表现。
②有助于理解怎么样绕制的电感寄生电容比较小,谐振频率比较高。
③电感越小,谐振频率越高:电感越大,那么匝数越多,寄生电容越大,所以谐振频率也低。
我们根据电感的高频模型,可以得到阻抗公式,也可以得到谐振频率公式。也就能画出阻抗频率曲线了。
横轴为频率,纵轴为阻抗的模。蓝色的曲线为理想电感,理想电感的阻抗为Z=jwL,阻抗和频率成正比,所以看起来像是一条直线。而黄色曲线是实际电感的阻抗曲线,最高点对应的频率为谐振频率SRF。
可以看出:
①在频率比较低的时候,实际电感的阻抗与理想电感的基本一样,可以看作是理想的电感。
②在谐振频率SRF处,阻抗达到最大,然后随频率的增加不断下降。
③在SRF左侧,电感占主导地位,电感主要呈感性,而在SRF右侧,电容占主导地位,主要呈容性。
比较理想电感和实际电感曲线,我们会发现,在频率小于谐振频率的十分之一时,两者基本是重合的,而大于之后随着频率的升高,两者差别越来越大。这样也是为什么我们常说,要使信号频率小于谐振频率的十分之一。
我们一般使用电感滤波时,都只需要其感性的作用,因此其越接近于理想电感越好,所以在使用时信号频率要远小于谐振频率。这与电容是不同的,电容我们一般用于滤波,需要最小阻抗,所以电容是在谐振频率处滤波效果最好的。
如果细心一点,会发现,横坐标频率是从10K开始的,如果频率从0开始,曲线也是和理想电感重合的吗?答案是否定的。从上面可以看出,在频率比较低的时候,实际电感的阻抗基本是平的,而理想的还是线性的,为什么呢?
其实很简单,那是因为在频率比较低的时候,电感的感抗和容抗都非常小,尽管电感的导线电阻已经很小了,但是因为频率实在太低了,感抗和容抗比导线电阻还小。所以,此时阻抗主要由导线电阻决定,而导线电阻是随频率基本不变的,所以我们看到在频率比较低的时候是平的。
总结
①电感的阻抗频率曲线呈现倒V型,有一个自谐振频率SRF,阻抗在谐振频率处达到最大,此时整体呈现电阻特性。而在SRF左侧,电感主要呈感性,在SRF右侧,电感主要呈容性。
②实际使用中,要使信号频率小于电感自谐振频率的十分之一。
电感的Q值
电感Q值,也是电感的基本参数之一。不过在DCDC电路设计中,我们很少去考虑它,厂家一般也不会标注。那么电感的Q值到底是什么意思呢?我们什么时候要考虑呢?
还有这几个问题:
①为什么DC-DC电路设计中,为了降低发热,一般只考虑DCR,而不考虑电感Q值呢?
②功率电感的Q值曲线是怎么样的?
③电感的Q值在自谐振频率处是最大的吗?
④电感的Q值是越大越好吗?
电感的Q值定义
电感的Q值也叫作品质因数,其为无功功率除以有功功率。简单理解的话,就是在一个信号周期内,无功功率为电感存储的能量,有功功率为电感消耗的能量。
因此,电感Q值主要衡量的是损耗情况。为什么这么说呢?
理想电感本身是不能消耗能量的,而实际的电感是有损耗的。电感在一个充放电周期内,储存并释放的能量为无功能量,而因为这个过程额外损耗的能量就是有功能量,损耗的能量主要作为热量耗散。而两者的比值就是电感的Q值。所以电感的Q值越高,损耗越小。
电感一般使用频率远小于其自谐振频率,因此寄生电容可以忽略,此时无功功率主要由电感产生,所以Q等于wL除以Rs。
需要注意的是,这里的Rs并不是电感的直流导通电阻Rdc,它包含了电感的所有损耗,我们可以称之为等效串联总电阻。
总电阻Rs包括这几个分量:电感线圈的直流导通电阻Rdc;磁芯材料磁滞损耗和涡流损耗;趋肤效应造成的损耗(不同频率的损耗电阻Rac不同)。
实际上,Q值的提高往往受到一些因素的限制,如导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗、铁芯和屏蔽引起的损耗以及高频工作时的集肤效应等。因此,线圈的Q值不可能做得很高,通常Q值为几十至一百。
功率电感为什么不考虑Q值?
从前面Q值的定义看出,Q值越小,损耗越高,而DCDC中电感选型我们从来没有说要考虑电感Q值,而仅仅只考虑DCR,这是为什么呢?
在BUCK电路中,负载所获得的能量都是经过电感,而电感电流可以看作是直流Idc上面叠加交流Iac,所以从电感输送过去的能量可以看作是两部分。一部分是直流电,一部分是交流电。
能量等于功率乘以时间。
Buck电路设计中,一般交流电流Iac的峰峰值为电感平均电流的30%左右,因此,我们可以得到,直流电能量占总传递能量的85%,而交流能量占15%。
尽管我们一般并不知道功率电感的Q值是多少,但是电感在开关频率处的Q值总不会小于10。而即使我们让Q等于10来计算,交流电流来的损耗也不过1.5%左右。事实上,我上村田官网查询了功率电感的Q值,在1Mhz处,Q值基本在15-40之间,因此交流能量带来的损耗应该是千分之几,是比较小的。正是因为如此,我们在DCDC电路中,一般不用去考虑电感的Q值,因为它的影响比较小。
与此同时,电感的直流电传递了85%的能量给了负载,而其损耗主要由直流导通电阻DCR决定,因此,我们在选用电感的时候,主要去看DCR参数。为了减小发热,一般选用DCR值小的。
功率电感的Q值曲线
尽管功率电感选型时我们不需要考虑电感的Q值,但是感兴趣的话,我们还是可以看看它曲线。至少我们可以知道,在电感的自谐振频率处,电感的Q值是最小的,而不是最大的。
这是村田的1264EY-4R7M的4.7uH的电感,可以看到,在谐振频率处,Q值最小,基本为0。这是为什么呢?
这是因为在自谐振频率处,电感与其寄生电容谐振了,相当于一个电阻。或者从微观上看,进入电感的能量在其内部电容和电感中来回倒腾,并不能释放出来,只能通过Rs慢慢消耗掉。
从曲线我们也可以看出,在频率大于100Khz后,电感的损耗就不是主要由Rdc决定了,因为如果由Rdc决定,那么Q值应该随着频率线性增大。
那么总电阻Rs是多少呢?我们来计算1Mh处的Rs。
根据公式Q=jwL/Rs,Q=25,求得Rs=1.18Ω。查看该电感规格书参数,Rdc=0.029Ω。由此可见,总的交流电阻要比Rdc大很多的。
什么时候要考虑电感的Q值
实际上,Q值的大小取决于实际应用,并不是越大越好。例如,如果设计一个宽带滤波器,过高的Q值将使带内平坦度变坏。在电源去耦电路中采用LC滤波时,高Q值的电感和电容极容易产生自谐振状态,这样反而对谐振频率附近的噪声有所放大。
Q值越高,电感的性能越接近于理想的无损电感,这也说明了它在谐振电路中的选择性更好,因此,谐振电路要选择高Q值电感。
一般来说,对于高频电感或者射频电感,一般对Q值有要求,需要注意。
磁珠
磁珠在电路中也是用得非常多的,下面是一些经常会看到的知识点,或者说是经验吧。
①电感的单位是亨H,磁珠的单位是欧姆Ω
②电感是储存能量的,磁珠是通过发热来消耗能量的
③磁珠是用来吸收超高频信号,多用于信号回路及EMC对策
不知道同志们想过没有,这些结论是怎么来的呢?要理解这些,就需要知道磁珠的工作原理,而知道了磁珠的工作原理,这些也就是理所当然的事情了。
磁珠的工作原理
总的来说,磁珠跟电感的原理基本是一样的,很多厂家也把磁珠归为电感一类。那么他们的区别在哪儿呢?
先来看我们使用两者器件的目的:我们一般使用电感,总希望他是理想电感,损耗越小越好。而我们使用磁珠,就是要利用其损耗,来消掉我们不需要的高频分量。
我们先前有讲过电感的损耗,分为铜损和铁损,铜损指直流导通电阻,一般不会大。而铁损就是指磁芯损耗了,主要包括磁滞损耗和涡流损耗。而这两者主要与磁芯的材质种类有关。下面来看看磁珠是怎么利用磁滞损耗和涡流损耗来工作的。
下面是最简单的磁珠模型:
电流流过导线,会产生围绕导线的环形磁场,在导线上套上一个磁导率比较大的磁环,磁环内部就会有比较大的环形磁场B。如果电流是变化的,那么磁场B也是变化的。根据电磁感应定律,变化的磁场产生电场,并且这个电场是环形的电场。如上图所示,会在红色截面上产生环形的电场。这是如果磁环的电阻率不是无穷大,那么环形的电场就会产生环形的电流,也就是产生热量了,这个损耗叫涡流损耗。
我们实际中常用的磁珠是上面这种贴片式结构的,一样也是会有涡流损耗,道理跟上面差不多。
磁滞损耗如何理解呢?
磁芯在外磁场的作用下,材料中的一部分与外磁场方向相差不大的磁畴发生了‘弹性’转动,这就是说当外磁场去掉时,磁畴仍能恢复原来的方向;而另一部分磁畴要克服磁畴壁的摩擦发生刚性转动,即当外磁场去除时,磁畴仍保持磁化方向。因此磁化时,送到磁场的能量包含两部分:前者转为势能,即去掉外磁化电流时,磁场能量可以返回电路;而后者变为克服摩擦使磁芯发热消耗掉,这就是磁滞损耗。
上图为典型的磁滞曲线,从前面磁滞损耗的理解来看。剩磁Br越小,那么磁畴的刚性转动越少,损耗就越小。或者说磁滞损耗正比于磁滞回线包围的面积。
关于磁珠的损耗,我请教过相关电感生产厂家,磁滞损耗占大头。
小结
其实,上面说的涡流损耗,磁滞损耗,电感的损耗也是这些。电感和磁珠,本质上没什么区别。电感和磁珠的曲线,其实是差不多的,都是倒“V”型的
只不过因为使用目的的不同,电感我们一般让其工作在感性区域,也就是远离谐振频率的频段,因此,它的单位是H。而磁珠工作在阻性区域,也就是谐振频率附近,因此他的单位是欧姆。
或者这么说,电感和磁珠,如果用数学公式表示阻抗的话,都是Z=R+jX。
电感,工作在X远大于R的频段,也就是X占大头,此时X主要是感抗,那么单位不就是亨了么。既然X分量占大头,R分量很小,因为只有R才能消耗能量,那就主要是储能的作用了。
磁珠,主要工作在R大于X的频段,R占大头,那么单位不就是欧姆了么。因为X分量占小头,储能很少,所以我们说磁珠主要是通过发热消耗能量的。
大多数厂家的磁珠规格书,曲线基本都是这样的。
上图中,在频率比较大时,X=0,这样的话不应该Z=R吗?可是曲线又没有重合,这是为什么呢?到底是公式出了问题还是别的什么原因呢?
先说结论:随着频率的增大,X会逐渐减小到0,此时对应频率为自谐振频率,后续随频率增大,X为负数,也就是呈容性,上面曲线是厂家没有画出自谐振频率之后的X而已,其并不等于0。实际图为下图:
上村田去查磁珠曲线,它们家的X都是正的,X应该是取得绝对值大小。
磁珠等效模型:
总的阻抗为: