缘由在实际应用中mos管的导通问题 - 电路设计论坛 - 电子技术论坛 - 广受欢迎的专业电子论坛!
MOS管实际应用中的开通问题-硬件开发-CSDN问答
设计的思想是，当CH_5.2V有5.2V电压时，Q7导通，Q6产生UGS压差，从而使Q6导通，VBUS处电压5.2V左右，当VBUS处有5V电压时，因Q6体二极管反向截止，理论上CH_5.2V处电压为0V
但在实际应用时，如果VBUS有5V电压时，CH_5.2V处也有5V的电压，并且Q7也处于导通状态，且在整个电路上，只有该地方使用了CH_5.2V网络，该5V电压不可能是由其他地方导致，实际与理论不同。而且通过Multisim仿真时，选择其他型号的mos管也存在这样的问题，是否是因为mos管漏电流过大，导致Q7导通，从而使Q6导通呢？请求各位大佬解答。
是供电并接电路设计？场效应管微量漏电流形成正反馈引起的.这种电路没什么实际价值,不如用一个锗二极管简单,试想看如果2处都接有电源,那么该电路有哪个电压高电流就向另一边的特点,左高向右流右高向左流,若左边无电源谈不上什么控制与不控制的,不如单个二极管能控制电流单向性.
