CSC7261M是一款内置高压MOS的高性能、多工作模式的PWM控制芯片，内置多种保护机制。当系统为空载和轻载时，芯片采用Burst和Green控制模式可有效地减少了空载和轻载时的损耗。当系统为中载和重载时，CSC7261M芯片采用CCM模式可有效提升电源系统的工作效率。
CSC7261M具有较小的启动和工作电流，并且内置高压启动模块，在实现快速开机的同时，可实现更低的待机功耗。CSC7261​​​​​​​M内置多种保护和自恢复功能，具有高稳定性和可靠性。同时，芯片内置抖频功能，具有良好的EMI性能。CSC7261M采用SOP8封装。

CSC7261M主要特点
 内置>650V 的功率 MOSFET
 内置高压快速启动模块，实现待机功耗<75mW
 多种工作模式:Burst 模式@空载,Green 模式@轻载,CCM 模式@重载
 内置抖频模块，具有良好 EMI 特性
 内置软启动模块，有效抑制开机时MOSFET 开关应力
 固定 65KHz 工作频率
 多重保护模块:VDD 欠压保护,VDD 过压保护,过流保护,过温保护

 

典型应用
 18W 以内快充、电源适配器等

1 、 介绍
CSC7261M 是一款高性能的多模式反激式 PWM 控制器。在不同负载条件下，电路自适应多种工
作模式，并且内置高压启动模块，具有较低的启动电流和工作电流，可实现高转换效率、低待机功
耗和较低的应用成本。
2 、 启动和欠压
CSC7261M 采用内置高压启动技术，通过内置高压启动 MOS 管，对外部 VDD 端口电容实现恒
定电流快速充电，从而有效提升启动时间。当 VDD 电压达到芯片启动电压（V DD_on ）时，芯片内部控制电路开始工作，当达到充电关断电压（V th_chargeoff ）时，充电回路关闭，系统通过变压器辅助绕组源持续供电；当 VDD 电压下降到充电开启电压（V th_chargeon ）时，充电回路重新打开，给 VDD 电容充电，如果系统为断电状态，VDD 会继续降低，当低于关断电压（V DD_off ）时，芯片内部控制电路停止工作，电路重新进入等待启动状态。同时，电路内置一个由 CS 峰值电压缓变控制实现的软启动模式，其软启动时间约为 3mS，可有效抑制开机时 MOSFET 开关应力。
3 、 工作模式
CSC7261M 是一款多模式控制的反激式 PWM 控制器。电路根据 FB 端的电压实现不同工作模式
的切换和运行。系统正常工作时，当负载为空载或极轻载时，FB 端电压低，系统进入 Burst 模式，在 Burst 模式下，只有当 FB 电压高于 Vfb_burst_1（Burst 模式阈值 1）电压，电路的 IC 栅极驱动才开启，开启后，FB 电压随之降低，当其低于 Vfb_burst_2（Burst 模式阈值 2）电压时，栅极驱动关闭，FB 电压又随之上升，此状态可有效降低开关损耗，降低待机功耗；当负载逐渐加重，FB 端的电压升高，但FB 电压低于 Vfb_green（Green 模式关闭阈值）时，系统工作在 Green 模式，其工作频率为 23~65KHz；当负载为重载时，FB 电压超过 Vfb_green 时，系统进入 CCM 工作模式。
4 、 电流取样和前沿消隐
CSC7261M 采用逐周期限流保护。通过对连接到 CS 端的电阻上的电压进行采样，来判断功率
管的电流，从而控制内部功率管的关闭。为防止在功率管开通时产生的尖峰电压对采样产生误判，
电路中设置了约 300ns 的前沿消隐藏时间，来屏蔽尖峰电压的影响。在消隐期间，电流采样比较器被禁用，不能控制关闭内部功率管。
5 、 抖频功能
CSC7261M 内置了抖频功能，其开关频率会被内部一个信号进行调制，从而达到改善系统 EMI
特性，简化系统设计。
6 、 保护功能
为保证系统的可靠性，CSC7261M 电路内置多重有效保护功能模块。包括：过温保护（OTP）、
短路保护、逐周期过流保护（OCP）、过载保护（OLP）、栅极驱动钳位保护、VDD 过/欠压保护等。保证了整个系统的高可靠性。