3.4 闪存数据完整性

        可采用以下数据完整性的技术确保用户数据不丢失：

        （1）ECC纠错；

        （2）RAID数据恢复；

        （3）重读（Read Retry）；

        （4）扫描重写技术（Read Scrub）；

        （5）数据随机化。

3.4.1 读错误来源

        闪存数据发生错误，主要有以下几个原因：

    1. 擦写次数增多

        擦写次数增多，氧化层老化，电子更容易进出存储单元。因此，存储在存储单元中的电荷容易发生异常，导致数据读错误。

    2. Data Retention

        随着时间推移，存储在存储单元的电子会流失，晶体管阈值电压会左移，最终导致读数据的时候发生误判。

    3. 读干扰

    4. 存储单元之间干扰         

     5. 写错误

 

3.4.2 重读

        采用该技术后，可以通过改变参考电压来防止由于阈值电压左移或右移儿造成的读、写错误。

 

3.4.3 ECC纠错码

        常用的闪存ECC纠错算法有 BCH 和 LDPC。

3.4.4 RAID

        也是一种纠错技术，在ECC无法起作用的时候，可以使用该技术。

 

 3.4.5 数据随机化

        闪存通过给控制栅极加电压来完成存储数据的。

    从物理原理上看，闪存写入需要做随机化的原因如下：

       （1）让0和1的分布充分隔离；

       （2）降低相邻单元之间的耦合电压产生的影响。

       

     数据随机化在哪个步骤实现？   答：在数据最终写入闪存之前，在ECC加校验码之后。  也可以在ECC校验之前做，两者的顺序可以交换。