DS18B20 温度传感器实验
本次实验我们来学习精度较高的外部 DS18B20 数字温度传感器,由于此传感器是单总线接口,所以需要使用 51 单片机的一个 IO 口模拟单总线时序与 DS18B20 通信,将检测的环境温度读取出来。开发板上集成了 1 个 DS18B20 温度传感器接口,需插上 DS18B20 温度传感器后才能测试温度。本章要实现的功能是:系统运行时,
插上 DS18B20 温度传感器,数码管显示检测的温度值。
DS18B20介绍
DS18B20 是由 DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线(单总线)”接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比,它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简单的数字化温度传感器。
DS18B20 温度传感器具有如下特点:
1、适应电压范围更宽,电压范围:3.0~5.5V,在寄生电源方式下可由数据线供电。很少这样操作,一般直接用电源供电。
2、独特的单线接口方式,DS18B20 在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20 的双向通讯。
3、DS18B20 支持多点组网功能,多个 DS18B20 可以并联在唯一的三线上,实现组网多点测温。
4、DS18B20 在使用中不需要任何外围元件,全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内。
5、温范围-55℃~+125℃,在-10~+85℃时精度为±0.5℃
6、可编程的分辨率为 9~12 位,对应的可分辨温度分别为 0.5℃、0.25℃、0.125℃ 和 0.0625℃,可实现高精度测温。默认工作在12位。
7、在 9 位分辨率时最多在 93.75ms 内把温度转换为数字,12 位分辨率时最多在 750ms 内把温度值转换为数字,时间越长越准确。
8、测量结果直接输出数字温度信号,以"一根总线"串行传送给 CPU,同时可传送 CRC 校验码,具有极强的抗干扰纠错能力。
9、负压特性:电源极性接反时,芯片不会因发热而烧毁,但不能正常工作。
DS18B20 外观实物如下图所示:
从 DS18B20 外观图可以看到,当我们正对传感器切面(传感器型号字符那一面)时,传感器的管脚顺序是从左到右排列。管脚 1 为 GND,管脚 2 为数据DQ,管脚 3 为 VDD。如果把传感器插反,那么电源将短路,传感器就会发烫,很容易损坏,所以一定要注意传感器方向,通常我们在开发板上都会标出传感器的凸起出,所以只需要把传感器凸起的方向对着开发板凸起方向插入即可。
DS18B20 内部结构如下图所示:
ROM 中的 64 位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该 DS18B20 的地址序列号。64 位光刻 ROM 的排列是:开始 8 位(28H)是产品类型标号,接着的 48 位是该 DS18B20 自身的序列号,最后 8 位是前面 56 位的循环冗余校验码。光刻 ROM 的作用是使每一个 DS18B20 都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个 DS18B20 的目的。
DS18B20 温度传感器的内部存储器包括一个高速的暂存器 RAM 和一个非易失性的可电擦除的 EEPROM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL 和配置寄存器。
配置寄存器是配置不同的位数来确定温度和数字的转化,配置寄存器结构如下:
低五位一直都是"1",TM 是测试模式位,用于设置 DS18B20 在工作模式还是在测试模式。在 DS18B20 出厂时该位被设置为 0,用户不需要去改动。R1 和R0 用来设置 DS18B20 的精度(分辨率),可设置为 9,10,11 或 12 位,对应的分辨率温度是 0.5℃,0.25℃,0.125℃和 0.0625℃。R0 和 R1 配置如下图:
在初始状态下默认的精度是 12 位,即 R0=1、R1=1。高速暂存存储器由 9 个字节组成,其分配如下:
当温度转换命令(44H)发布后,经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第 0 和第 1 个字节。存储的两个字节,高字节的前 5 位是符号位 S,其余9位为数值位。单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后。数据格式如下:
如果测得的温度大于 0,这 5 位为‘ 0’,只要将测到的数值乘以 0.0625(默认精度是 12 位)即可得到实际温度;如果温度小于 0,这 5 位为‘ 1’,测到的数值需要取反加 1 再乘以 0.0625 即可得到实际温度。温度与数据对应关系如下:
比如我们要计算+85 度,数据输出十六进制是 0X0550,因为高字节的高 5位为 0,表明检测的温度是正温度,0X0550 对应的十进制为 1360,将这个值乘以 12 位精度 0.0625,所以可以得到+85 度。如果是负温度,则将数据位取反+1,然后再进行计算。知道了怎么计算温度,接下来我们就来看看如何读取温度数据,由于 DS18B20是单总线器件,所有的单总线器件都要求采用严格的信号时序,以保证 数据的完整性。DS18B20 时序包括如下几种:初始化时序、写(0 和 1)时序、 读(0和 1)时序。 DS18B20 发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。这里我们简单介绍这几个信号的时序:
(1) 初 始 化 时 序
单总线上的所有通信都是以初始化序列开始。主机输出低电平,保持低电平时间至少 480us(该时间的时间范围可以从 480 到 960 微妙),以产生复位脉冲。接着主机释放总线,外部的上拉电阻将单总线拉高,延时 15~60 us,并进入接收模式。接着 DS18B20 拉低总线 60~240 us,以产生低电平应答脉冲,若为低电平,还要做延时,其延时的时间从外部上拉电阻将单总线拉高算起最少要480 微妙。初始化时序图如下:
(2) 写 时 序
写时序包括写 0 时序和写 1 时序。所有写时序至少需要 60us,且在 2 次独立的写时序之间至少需要 1us 的恢复时间,两种写时序均起始于主机拉低总线。写 1 时序:主机输出低电平,延时 2us,然后释放总线,延时 60us。写 0时序:主机输出低电平,延时 60us,然后释放总线,延时 2us。写时序图如下:
(3) 读 时 序
单总线器件仅在主机发出读时序时,才向主机传输数据,所以,在主机发出读数据命令后,必须马上产生读时序,以便从机能够传输数据。所有读时序至少需要 60us,且在 2 次独立的读时序之间至少需要 1us 的恢复时间。每个读时序都由主机发起,至少拉低总线 1us。主机在读时序期间必须释放总线,并且在时序起始后的 15us 之内采样总线状态。读时序图如下:
典型的读时序过程为:主机输出低电平延时 2us,然后主机转入输入模式延时 12us,然后读取单总线当前的电平,然后延时 50us。
在了解了单总线时序之后,我们来看看 DS18B20 的典型温度读取过程,DS18B20 的典型温度读取过程为:复位→发 SKIP ROM 命令(0XCC)→发开始转换命令(0X44)→延时→复位→发送 SKIP ROM 命令(0XCC)→发读存储器命令(0XBE)→连续读出两个字节数据(即温度)→结束。
硬件设计
本实验使用到硬件资源如下:
(1)动态数码管
(2)DS18B20
开发板上DS18B20 模块电路,如下图所示:
左边为A2-A4,右边为A5-A7开发板电路图。
A5-A7开发板电路图从上图中可以看出,该电路是独立的,并且该接口可以支持 DS18B20 温度传感器和 DHT11 温湿度传感器。传感器接口的单总线管脚接至 J14 端子上,在介绍单总线的时候我们说过,为了让单总线默认为高电平,通常会在单总线上接上拉电阻。
由于该模块电路是独立的,所以传感器接口的 DQ 管脚可以使用任意单片机管脚连接,为了与我们例程程序配套,这里使用单片机的 P3.7 管脚连接传感器的单总线接口 J14 端子。
软件设计
程序框架如下:
(1)编写数码管显示功能
(2)编写 DS18B20 读取温度功能。通过时序图,编写温度传感器的函数。
(3)编写主函数
public.h:
#ifndef _public_H
#define _public_H//名称与头文件名字相同
#include"reg52.h"
typedef unsigned int u16;
typedef unsigned char u8;
void delay_1ms(u16 ms);
void delay_10us(u16 ten_us);
#endif
public.c:
#include"public.h"
void delay_1ms(u16 ms)
{
u16 i,j;
for(i=ms;i>0;i++)
for(j=110;j>0;j--);
}
void delay_10us(u16 ten_us)
{
while(ten_us--);
}
smg.h:
#ifndef _smg_H
#define _smg_H
#include"public.h"
#define SMG_A_DP_PORT P0
sbit LSA=P2^2;
sbit LSB=P2^3;
sbit LSC=P2^4;
extern u8 gsmg_code[16];//必须加extern
void smg_display(u8 dat[],u8 pos);
#endif
smg.c
#include "smg.h"
u8 gsmg_code[16]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,
0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
void smg_display(u8 dat[],u8 pos)
{
u8 i=0;
u8 pos_temp=pos-1;
for(i=pos_temp;i<8;i++)
{
switch(7-i)//位选
{
case 0: LSC=1;LSB=1;LSA=1;break;
case 1: LSC=1;LSB=1;LSA=0;break;
case 2: LSC=1;LSB=0;LSA=1;break;
case 3: LSC=1;LSB=0;LSA=0;break;
case 4: LSC=0;LSB=1;LSA=1;break;
case 5: LSC=0;LSB=1;LSA=0;break;
case 6: LSC=0;LSB=0;LSA=1;break;
case 7: LSC=0;LSB=0;LSA=0;break;
}
SMG_A_DP_PORT=dat[i-pos_temp];//传送段选数据
delay_10us(100);//延时一段时间,等待显示稳定
SMG_A_DP_PORT=0x00;//消音
}
}
ds18b20.h:
#ifndef _ds18b20_H
#define _ds18b20_H
#include"public.h"
sbit DS18B20_PORT=P3^7;
void ds18b20_reset(void);
u8 ds18b20_check(void);
u8 ds18b20_init(void);
void ds18b20_write_byte(u8 dat);
u8 ds18b20_read_bit(void);
u8 ds18b20_read_byte(void);
void ds18b20_start(void);
float ds18b20_read_temperture(void);
#endif
ds18b20.c:
#include"ds18b20.h"
#include"intrins.h"
void ds18b20_reset(void)//复位 DS18B20(初始化)
{
DS18B20_PORT=0;
delay_10us(75);//延时大于480ms
DS18B20_PORT=1;
delay_10us(2);
}
u8 ds18b20_check(void)//检测 DS18B20 是否存在
{
u8 time_temp=0;
while(DS18B20_PORT&&time_temp<20)//等待 DQ 为低电平
{
time_temp++;
delay_10us(1);
}
if(time_temp>=20)return 1;//如果超时则强制返回 1//成功为0.不成功的情况下一般返回1
else time_temp=0;
while((!DS18B20_PORT)&&(time_temp<20))
{
time_temp++;
delay_10us(1);
}
if(time_temp>=20)return 1;//如果超时则强制返回1
return 0;//成功则返回0
}
u8 ds18b20_init(void)//初始化 DS18B20 的 IO 口 DQ 同时检测 DS 的存在
{
ds18b20_reset();
return ds18b20_check();
}
//=============================================//
void ds18b20_write_byte(u8 dat)//写字节函数
{
u8 i=0;
u8 temp=0;
for(i=0;i<8;i++)//大于60us
{
temp=dat&0x01;
dat>>=1;
if(temp)
{
DS18B20_PORT=0;
_nop_();_nop_();//当晶振为12HZ时,_nop_()刚好为1us
DS18B20_PORT=1;
delay_10us(6);
}
else
{
DS18B20_PORT=0;
delay_10us(6);
DS18B20_PORT=1;
_nop_();_nop_();
}
}
}
u8 ds18b20_read_bit(void)
{
u8 dat=0;
DS18B20_PORT=0;
_nop_();_nop_();
if(DS18B20_PORT)dat=1;//数据采样
else dat=0;
delay_10us(5);
return dat;
}
u8 ds18b20_read_byte(void)//读字节函数
{
u8 i=0;
u8 temp=0;
u8 dat=0;
for(i=0;i<8;i++)
{
temp=ds18b20_read_bit();
dat>>=1;
dat|=(temp<<7);
//dat=(temp<<7)|(dat>>=1);//精简写法
}
return dat;
}
void ds18b20_start(void)
{
ds18b20_reset();//复位
ds18b20_check();//检查 DS18B20
ds18b20_write_byte(0xcc);//SKIP ROM
ds18b20_write_byte(0x44);//转换命令
}
float ds18b20_read_temperture(void)//从 ds18b20 得到温度值
{
u8 dath=0;//保存高字节
u8 datl=0;//保存低字节
u8 value=0;//保存温度
float temp=0;
ds18b20_start();
ds18b20_reset();
ds18b20_check();
ds18b20_write_byte(0xcc);//SKIP ROM
ds18b20_write_byte(0x44);//转换命令
datl=ds18b20_read_byte();
dath=ds18b20_read_byte();
value=(dath<<8)+datl;
if((value&0xf800)==0xf800)
{
value=~value+1;
temp=value*(-0.0625);
}else
{
temp=value*0.0625;
}
return temp;
}
main.c:
#include"public.h"
#include"smg.h"
#include"ds18b20.h"
void main()
{
int temp_value=0;
u8 temp_buf[5];
u8 i=0;
ds18b20_init();//初始化 DS18B2
while(1)
{
i++;
if(i%50==0)//间隔一段时间读取温度值,间隔时间要大于温度传感器转换温度时间
temp_value=ds18b20_read_temperture()*10;//保留温度值小数后一位
if(temp_value<0)//负温度
{
temp_value=-temp_value;
temp_buf[0]=0x40;//点亮段选g,数码管段选"a"为最低位,"."为最高位
}
else
temp_buf[0]=0x00;//不显示
temp_buf[1]=gsmg_code[temp_value/1000];//百位
temp_buf[2]=gsmg_code[temp_value%1000/100];//十位
temp_buf[3]=gsmg_code[temp_value%1000%100/10]|0x80;//个位+小数
temp_buf[4]=gsmg_code[temp_value%1000%100%10];//小数点后一位
smg_display(temp_buf,4);
}
}