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MUR20100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款共阴极快恢复对管。MUR20100DC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR20100DC采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR20100DC的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.8V，其中有3条引线。
MUR20100DC参数描述
型号：MUR20100DC
封装：TO-263
特性：共阴极快恢复对管
电性参数：20A 1000V
芯片材质：抗冲击硅芯片
正向电流(Io)：20A
芯片个数：2
正向电压(VF)：1.8V
芯片尺寸：102MIL*2
浪涌电流Ifsm：200A
漏电流(Ir)：10uA
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
MUR20100DC是TO-263封装系列。它的本体长度为9.2 mm，加引脚长度为14.5mm，宽度为9.88 mm，高度为4.5 mm，脚间距为2.54 mm。
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