复习时 发现连基础概念都不知道，连忙来找补

FET

把P型半导体放入电场中，根据同电荷排斥、异电荷吸引，电荷情况如下：

这种效应称为电场效应（Field Effect），依据这种现场所发明的半导体器件称为场效应管（Field Effect Transistor ，简称FET）。

MOSFET（MOS）

为了方便产生一个电场，科学家发明了一种器件，最上层是金属，一般是铝化合物，中间层是氧化物（一般是氧化硅），下面是P型半导体，此处也称为P型衬底。这种器件也即MOS（Metal Oxide Semiconductor）。
金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），简称MOS。----源自：数字集成电路——电路系统与设计（第二版）P57

NMOS

在P型衬底的两肩腐蚀出N型的电极，器件名为NMOS。金属层为栅极（G），N型掺杂浓度高端称源极（S），稍低的一端称为漏极（D）。
D极电位比S极高。

PMOS

衬底为N型的器件，施加电场产生一个空穴区，即P沟道，这种器件称为PMOS。
G极电势比S极低，S极电势比D极高。

CMOS

互补型MOSFET简称CMOS（complementary MOSFET）

参考文章：
1、从原理的视角，一文彻底区分MOS MOSFET NMOS PMOS CMOS
2、小科普|FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的区别