1、1反激式电路是小功率电源(150W以下)当中,最常用的电路,它的工作原理如下。
1、2如图1,变压器T1,标记红点的端,12、3、A为同名端,10、1、B为异名端。
当MOS管导通的时候,初级绕组N1、次级绕组N、VCC绕组N3感应电动势的方向为10、1、B为+,12、3、A为-。各绕组的电流方向如箭头所示。 初级绕组N1。整流后的高压经过变乐器初级饶组,在初级浇组N1上产生10+、12-的感应电动势。电流流向为10进来,再到12,再到MOS管。 次级绕组N2:由于同名端的关系,在次级绕组N2上产生B+、A-的感应电动势,它的电流方向如图1,蓝色箭头所示,由B流向A,此时次级肖特基
D3反向偏置,处于截止状态,不能导通..这个时候的负载如红色箭头所示,由C4、C5电容给负载进行供电。
VCC绕组N3:由于同名端的关系,在VCC绕组N3上产生1+、3-的感应电动势,看箭头电流方向,此时该绕组不能形成电流通路。IC的供电是由
图9,C2启动电容来提供的。
1、3如图2,当MOS管关断的时候,各绕组的感应电动势反向,初级绕组N1、次级绕组N2、VCC绕组3感应电动势的方向为12、3、A为+,10、1、B为-各绕组的电流方向如箭头所示。
初级绕组N1:由于此时MOS关断,初级绕组N1上产生一个12+、10-的反向感应电动势,12脚也就是MOS管的D极,它们是连在一起的,MOS管的D极会产生一个反向的尖锋电压,通过初级RCD缓冲吸收回路进行释放。
次级绕组N2;由于同名端的关系,在次级绕组N2上产生A+、B-的反向感应电动势,它的电流方向如图2,蓝色箭头,由A流向B,此时次级肖特基D3正向偏置,处于导通状态。此时的负载是由次级铙组N2进行供电。大家看红色箭头次级饶组N2同时会给C4、C5电容充电。
VCC绕组N3:由于同名端的关系,在VCC绕组N3上产生3+、1-的反向感应电动势,D2二极管正向导通.IC的供电是由图10,由VCC绕组N3供电,同时VCC绕组N3对启动电容进行充。
反激式电路原理也可以简单的理解,初级导通,绪存能量,次级关断。初级关断,次级导通,释放能
2、原理图分析
2、1反激式电路图原边反馈电路和副边反馈电路。
2、2如图3,是常用的副边反馈电路,我们就来对这个电路坐具体分析
2、3 交流输入到整流桥
如图4,因为AC交流电的波形是正弦波,半个周期内,L线电压会高于N线电压,另外半个周期,L线电压会低于N线电压。
如图5,图6,红色箭头所示,分别为AC交流电的正半周、负半周电流流向。
F1 当电路不正常的时候,有大电流产生时,先会烧坏保险丝,从而保护整个后级电路.
NTC1 避免开机瞬间,防浪涌电流冲击,保护后级电路。
MOV1 抑制浪涌电压,另外配合前端的保险丝一起,起到防雷击的作用,保护后级电路。
L1、L2 滤波,滤同时加在L、N线的共模干扰信号,EMI测试时,过传导干扰测试用。
CX1, 滤波,滤L、N线之间的差模于扰信号,EMII测试时,过传导干扰测试用。
R1、R2 当输入插头拔掉时,释放CX1电容储存的电能。
BD1 整流,把输入交流电压变成直流电压。
2、4 初级主回路 MOS管导通关断
如图7,图8,为M0S管导通关断时的电流流向。
C1 整流后,储能,滤波。
Q1 过IC6脚Pw波驱动,实现开关作用。
R22 限流电阻,MOs管导通的时候,通过检测R22上的电压,进入到IC4脚,跟IC内部的阀值电压进行比较,来控制过流点。
D1 给OS管关断时产生的尖峰电压提供一个释放通路。
R5、R6、R7 吸收MOs管关断时产生的尖峰电压,用来消耗能量-
c3 因为该电容容值比较小,容抗比较大,能用来抑制MOS管关断时产生的瞬态高压。经常还会串一个电阻R8,