静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）的基本电路图不同，因此可以通过观察存储器的基本电路图来判断它属于哪一类。

静态RAM的基本电路图包括一个存储单元和一个数据选择器。每个存储单元由一个触发器（flip-flop）和若干逻辑门组成。触发器用于存储一个比特（0或1），逻辑门用于实现存储单元的读写操作。数据选择器用于将读写操作所需的地址和控制信号传递给相应的存储单元。由于每个存储单元都包含一个触发器，因此静态RAM的读写速度较快，但占用的面积较大，且功耗较高。

动态RAM的基本电路图包括一个存储单元和一个刷新电路。每个存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成。电容用于存储一个比特（0或1），访问晶体管用于实现存储单元的读写操作。刷新电路用于定期刷新电容中的电荷，以防止电容电荷的漏失。由于每个存储单元只包含一个电容，因此动态RAM的存储密度较高，但读写速度较慢，且需要定期刷新。

因此，通过观察存储器的基本电路图，可以根据存储单元是否包含触发器来判断它是静态RAM还是动态RAM。如果存储单元包含触发器，则是静态RAM；如果存储单元只包含电容，则是动态RAM。

该计算机的机器字长为16位，也就是说，每个存储单元能够存储16位的二进制数据。同时，该计算机的存储容量为128KB，即128 × 1024字节，因为1KB等于1024字节。

按字编址，每个存储单元存储一个字，因此该计算机的存储容量为：

128KB = 128 × 1024 字节 = 128 × 1024 × 8 位 = 1,048,576 位 = 1,048,576 ÷ 16 个字

因此，该计算机的寻址范围为1,048,576 ÷ 16 = 65,536个字，即0到65,535之间的地址。每个地址能够唯一地标识存储器中的一个字，因此该计算机最多可以存储65,536个字，或者说131,072个字节。即64K。

对于1K×4位的RAM芯片，每个存储单元能够存储4位数据，因此需要4条数据线。为了能够访问每个存储单元，需要10条地址线。此外，为了能够对每个存储单元进行读写操作，需要1条读写线。为了选择该RAM芯片进行读写操作，需要1条片选线。

因此，该RAM芯片的引出线最少需要16根，即10根地址线，4根数据线，1根读写线和1根片选线。

 

 

 32K*16=2^5*2^10*16=2^15*16

所以是15根地址线，16根数据线

A和D说法正确。

A. 存取时间短：半导体存储器的存取时间通常比磁盘等其他存储设备要短。这是由于半导体存储器是电子存储器件，可以通过电信号进行快速存取和读写。

B. 具有非易失性：半导体存储器是一种易失性存储器，数据需要不断刷新才能保持在存储器中。只有特殊类型的半导体存储器，例如闪存，才具有非易失性。

C. 存取时间长：存取时间长的特点通常是磁盘等其他存储设备的特点，而不是半导体存储器的特点。半导体存储器的存取时间通常比磁盘等其他存储设备要短。

D. 功耗低：半导体存储器的功耗通常比磁盘等其他存储设备要低。由于半导体存储器是电子存储器件，其存取和读写过程中不需要机械部件参与，因此功耗相对较低。

因此，选项A和D是正确的说法。

​​​​​​​