晶体管开关速度有两种方法可以考虑一下

1、使用加速电容

在基极限流电阻并联小容量的电容（一般pF级别），当输入信号上升、下降时候能够使限流电阻瞬间被旁路并提供基极电流，所以在晶体管由导通状态变化到截止状态时能够迅速从基极抽取电子（因为电子被旁路），消除开关时间的滞后，这个电容的作用的提高开关速度，因此称为加速电容。如下图

如下图为Multisim仿真波形，上方的波形对应原理图的B点，下方的波形对应的是A点输入波形，并联在R1电阻上的C1电容在波形上升、下降时基极电流变大，加速开关过程。在实际当中晶体管由截止状态到导通状态的时间也缩短了，仿真的结果稍有偏差。

在实际应用中，加速电容的值要通过观察开关波形来决定。加速电容是一种与减小R1值等效的提高开关速度的方法，较小R1值也会加快输出波形的上升速度。

2、使用肖特基箝位

利用肖特基箝位也是提高晶体管开关速度的另外一种方法，我们熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的数字IC TTL的内部电路中也是采用这种技术。

如下图，肖特基箝位在基极-集电极之间，这种二极管开关速度快，正向压降比PN结小，准确来说叫做肖特基势垒二极管。

由于肖特基二极管的正向压降比晶体管的Vbe小，因此，本来应该流过晶体管的大部分基极电流通过D1被旁路掉了，这时候流过晶体管的基极电流非常小，所以可以认为这时晶体管的导通状态很接近截止状态。

如下图，上面的B点的波形，下面的是A点的波形，可以看出来，晶体管由导通到截止的滞后时间几乎为零，由截止到导通上升沿不是很抖是因为密勒效应增加了晶体管的输入电容的结果。

肖特基箝位可以看做是改变晶体管的工作点，减小电荷存储效应的影响，提高开关速度的方法，肖特基箝位电路不像接入加速电容那样会降低电路的输入阻抗，所以当驱动开关电路的前级电路的驱动能力较低时，并且要求关断速度快但是开启速度不做要求的场合。

参考原文：《晶体管开关速度有两种方法可以考虑一下》