发热来源

如上图，MOS管的工作状态有4种情况，分别是开通过程，导通过程，关断过程和截止过程。
导致发热的损耗主要有两种：开关损耗、导通损耗。

导通损耗

导通损耗比较好计算，根据驱动电压VGS值可以得到MOS的导通电阻RDS(ON)，用欧姆定律计算即可。

开关损耗

开关损耗是MOS管开启、关断过程中的损耗。由于MOS管开启需要有个过程，这个过程中MOS管的D、S之间存在电压、电流，电压电流相乘就得到了MOS管的开关损耗。如下：

MOS管开关时的米勒效应

发热解决办法

需要先分析下自己电路中主要是导通损耗还是开关损耗。
导通损耗多，那就如果VGS没到最大就提高VGS、换RDS(ON)更小的MOS。
开关损耗多，就降低开关频率、改进电路加快开关过程、选择输入输出电容更小的MOS。

选择Cgd小的MOS，在MOS的手册中：

又根据公式：Ciss=Cgs+Cgd，Coss=Cds+Cgd，Crss=Cgd

需要注意：内阻越小，一般cgs和cgd电容越大。所以需要取舍。