正如在问题13中讨论的，基底层用于前端工艺来制造NMOS和PMOS晶体管，而金属层用于后端工艺连接这些晶体管。在tapeout之后，每一层都需要专用的光掩膜来定义其图案。
基底层主要包括以下内容：
- n-well：用于定义n-well区域，这是硅晶片中的一种植入或扩散区域。
- 有源区（active area）：用于定义n型和p型通道器件的区域。
- 多晶硅（poly）：用于定义器件的栅极。
- 接触孔（cont）：这是有源区和多晶硅中的开口区域，用于与金属1层连接。
- 接触点（tap）：用于识别n-well和衬底接触点。
在半导体工艺技术中，金属指的是具有非常高导电性的材料。当在金属两端施加电压时，电子可以在金属内几乎自由移动。
