1 不同信号地的放置
下图为数字地和射频地的两种放置方式，第一个布局方式射频电流必须要经过数字地才能返回电源GND上，而且射频地与数字地之间的间隙很小，所以更容易通过寄生电容来耦合噪声。第二个布局数字地与射频地没有重叠，平面之间间隔较大，耦合的噪声小，并且额外的电感增加了耦合阻抗。
图：两种信号地的布局方式
一般最具“攻击性”的块（射频、功率、数字）更靠近电源放置，而最敏感的块（模拟）则远离电源放置。如果可能的话，高度“攻击性”的块（射频）应该与主电路隔离，以完全避免共同的返回路径。
1.1 地层的桥接：
如果一个层既用于布线又用作地平面，那么在通过平面布线时要小心，以避免形成大的返回环路是自感太大。如果必须穿透平面，可以在切割位置加桥接线来减小返回环路。
图：平面的桥接
1.2 回流路径穿过开口位置：
注意在平面开口slot影响回路路径，增加回路长度，增加自感，并且增加辐射发射，所以在遇到slot时要重新规划返回路径。
图：平面开口slot
2 去耦电容
两个容易忽视的点：
1>如果电源和地引脚相隔较远，最好将电容器放置在地引脚附近，因为信号是相对于地参考的。
2> 电源和地引脚不应直接连接到电源和地网络，而是通过去耦电容连接，否则其有效性将受到限制。
图：去耦电容的正确放置方式
不同大小去耦电容的放置位置：
在接口处放置小电容，是为了先给高频电流提供低阻抗回路，电源调整器输出也要紧跟着个小电容，以最低的阻抗路径过高频电流。
图：不同大小去耦电容的正确放置
3 PDN网络的阻抗
图：PDN等效电路
电源分配网络（PDN）阻抗由多个因素决定：
- 电源输出阻抗
- PCB走线阻抗
- 电源滤波
- 去耦电容
- 滤波和去耦电容的选择（通过它们的等效串联电阻 - ESR - 和等效串联电感 - ESL）
- PCB的层间电容
- 集成电路的输入阻抗
- 去耦电容选择低ESL的电容，通常小封装的去耦电容ESL更小。
4 模拟buffer的放置
如果可能的话，模拟块应靠近模拟信号连接器放置，以最小化互连长度。然而，由于连接器的放置通常由机械要求决定，这可能无法实现。如果情况如此，那么模拟缓冲器不应被视为模拟处理块的一部分，而应与信号连接器关联。图4.11展示了在这种情况下推荐的模拟缓冲器的放置。
图：模拟buffer的放置位置
5 晶体的布局
图：晶体的最优布局
- 将晶体和负载电容尽可能靠近集成电路(IC)的振荡器引脚放置。
- 将晶体-电容-IC连接的走线尽可能短。
- 将晶体-电容-IC连接的走线尽可能地相互分开，并与地线走线保持距离。
- 直接将地线布到IC的GND引脚，并且只从那里布到电路其余部分的地（振荡器信号不应与其他信号共享返回路径）。
- 将晶体外壳接地，并在振荡器电路周围布一个地线环。
- 如果可能的话，在振荡器下方提供一个参考平面。
- 不要在振荡器区域布任何干扰信号。
6 法拉第笼
在电路板或某个区域的周边布设一个保护环保护敏感电路。该环要有多个通孔打到其他地平面。通孔到地平面的最大间距应小于被保护信号最高频率成分波长的1/10。比如高频频率成分为5GHz，波长为6cm，最大间距为6mm，实际PCB肯定没有那么大的间距。
图：法拉第笼
参考资料：
https://emcfastpass.com/rightfirsttime/
