全新系列碳化硅 (SiC) MOSFET

SCT4026DWAHRTL
SCT4062KWAHRTL
SCT3105KRC15
SCT3080ALHRC11
SCT3080ARC15
SCT3060ARC15
——明佳达

AEC-Q101 SiC功率MOSFETs是汽车和开关电源的理想选择。SiC功率MOSFETs可以提高开关频率，减少所需的电容、电抗器和其他元件的体积。

AEC-Q101 SiC功率MOSFETs在各种驱动系统中提供出色的尺寸和重量缩减，例如车辆中的逆变器和DC-DC转换器。车辆电池正趋向于更大的容量和更短的充电时间。这要求11kW和22kW等车载充电器具有高功率和高效率。这导致SiC MOSFETs的应用越来越多。

AEC-Q101 SiC功率MOSFETs满足电子车辆的需求，采用沟槽栅极结构。ROHM的SiC MOSFETs的未来设计致力于提高质量，加强其产品线以提高器件性能，降低功耗，并实现更大的小型化。

1、SCT4026DWAHRTL 碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A（Tc） TO-263-7LA

规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：51A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 29A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 15.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+21V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2320 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-263-7LA

2、SCT4062KWAHRTL 碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7LA

规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：81 毫欧 @ 12A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 6.45mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+21V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1498 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：93W

工作温度：175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：TO-263-7LA

3、SCT3105KRC15是一款非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。该器件采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。

规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：137 毫欧 @ 7.6A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 3.81mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：574 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：134W

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L

封装/外壳：TO-247-4

基本产品编号：SCT3105

4、SCT3080ALHRC11是一款采用沟槽栅极结构的650V SiC MOSFET。与平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 10A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：571 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：134W

工作温度：175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247N

封装/外壳：TO-247-3

基本产品编号：SCT3080

5、SCT3080ARC15是一款非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构650V SiC MOSFET。该器件采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。

规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 10A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：571 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：134W

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L

封装/外壳：TO-247-4

基本产品编号：SCT3080

6、SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引脚封装 SiC（碳化硅）MOSFET，非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等应用。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：78 毫欧 @ 13A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 6.67mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：58 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：852 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：165W

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L

封装/外壳：TO-247-4

基本产品编号：SCT3060

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